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吸気管からシリンダ内部へ至るエンジンシリンダ内の気流解析を行いました
SuperCartesian：エンジンシリンダ内気流解析では、吸気管、バルブ形状を正確に表現し、吸気管からシリンダ内部へ至るエンジンシリンダ内の気流解析を行いました。内燃機関であるエンジンの性能を予測する際、シリンダ内へ送り込む混合気の気流性状を把握することは非常に重要なことです。 その気流性状は吸気管やバルブの形状等により大きく左右され、燃焼効率に影響を与えます。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
電源ユニット内における気流の特性について明らかにすることを目的とする
電源ユニット内気流解析では、一般的な電源ユニットを解析モデルとして採用し、電源ユニット内における気流の特性について明らかにすることを目的としています。PCをはじめとするコンピュータなどへ安定した電力を供給するために大変重要な役割を担う電源ユニットは、高温の発熱体を多く含むため、いかに効率よく排熱を行えるかが大きなポイントとなります。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
避難ビルの設計が具備すべき耐津波荷重仕様を再検討する目的で研究を開始
クローズアップ 津波荷重シミュレーションは、従来は頻発する海溝型地震の発生に伴う津波の建物に掛かる荷重の挙動を詳細に把握する事により、避難ビルの設計が具備すべき耐津波荷重仕様を再検討する目的で研究が始まりました。しかし今回の未曾有とも言える東日本大震災での大津波の被害状況を受け、今までの設定条件には無かったシミュレーションの必要性が生じてきました。 すなわち10～20mの高波高の津波や、建物群としての津波荷重評価などが、避難ビルに限らず沿岸に建設される施設の設計や都市計画に今後必須で急務とされています。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
機構の挙動や流れを考慮！建機・重機システムの性能改善ができる
当社の各種ソルバーの連携により、高精度な「粉体・バルク材の挙動解析」 を可能にします。 建機・重機システムの性能改善を探索可能。機構、粉体、構造変形、 システム制御の相互作用も考慮できます。 また、Altairの各種ソルバーを用いることで、熱流体現象を含む 粉体プロセス(送風による搬送や風による粒子冷却、乾燥プロセスなど) を高精度に解析可能です。 【建機・重機システムの性能改善】 ■機構 ■粉体運動 ■変形・応力考慮 ■システム制御機構の組込み ■EDEM土壌モデルと弾性変形するタイヤモデルの相互作用 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
設計・解析のシームレス化を実現！多彩な結果評価機能を搭載したアドイン熱流体解析ソフトウェア
『SOLIDWORKS Flow Simulation』は、SOLIDWORKSで設計を行う すべての設計者のために開発された熱流体解析ソフトです。 SOLIDWORKS完全統合によって、設計・解析のシームレス化を実現。 多彩な結果評価機能により、流体の流れる経路をラインや矢印で 可視化し、結果はアニメーションとして保存することも可能です。 【特長】 ■SOLIDWORKS完全統合 ■多彩な結果評価機能 ・流跡線：流体の流れる経路をラインや矢印で可視化 ・コンター、プローブ：計算結果を任意断面やサーフェス上に表示 ・XYプロット：任意スケッチ上の計算結果を出力することが可能 ・音響評価：任意時間・任意座標に対する周波数と音圧レベルのグラフが出力可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
機械研磨法に化学エッチング、イオンミリング、FIB加工を施すことにより、鉛フリー半田を始め、各種金属接合部の解析を行います。
電子部品の接合部は基板全体の信頼性に大きな影響を及ぼします。 特にはんだ接合部においては、形状のみならず、 金属組織の観察が重要になります。
表面のこの変色の理由は？なぜこんな所にヒビが入っているの？等の課題は、電子、原子、分子、化学反応メカニズムの視点で解決します！
製品の製造過程、および使⽤時において、たくさんの不具合が発⽣します。その中でも材料特性に関わるような課題で、「おそらく材料が原因なんだろうけど、何をどうすればよいのかなあ」、とお悩みの方々には、電子、原子、分子、および化学反応メカニズムの視点で適しているソリューションを提案いたします。 ■課題例 ・なにかしら、この変⾊はどうしてなの？ ・なぜすぐにヒビが入ったの？ ・引張試験をすると、すぐに千切れる理由はなぜ？ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
結晶方位や結晶粒径の変化が解析可能！EBSD(電子線後方散乱回折)法をご紹介いたします
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
