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浸漬ノズルから流れ込む溶鋼がモールド内に及ぼす流動状態の影響を模擬実験
連続鋳造機モールド内熱流体解析では、製鋼工場の連続鋳造装置に関する熱流体解析を行いました。 モールド、浸漬ノズルを忠実にモデル化し鋼浴内流動を再現しましたが、これは凝固シェル厚の制御や非金属介在物の低減対策などに極めて重要であり、高速鋳造装置への必須条件と言えます。 本解析では、下図の配置で浸漬ノズルから流れ込む溶鋼が、モールド内に及ぼす流動状態の影響をシミュレーションしました。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
撹拌槽内のインペラ回転で発生する槽内の流体挙動を移動境界を伴ない可視化
移動境界：インペラの回転による攪拌槽内流動解析では、撹拌槽内でインペラを回転させることで発生する槽内の流体の挙動を移動境界を伴なう数値シミュレーションを行い可視化しました。撹拌槽内での流体の撹拌･混合は、化学・バイオ分野において重要な工程の一つです。 ブレードの形状等は多様な種類が見られ、撹拌槽内部を十分に撹拌･混合することが目的です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
電子機器筐体内の数値シミュレーションによる換気解析を行いました
電子機器筐体内熱気流解析では、電子機器筐体内の数値シミュレーションによる換気解析を行いました。技術力の向上に伴い電子部品は益々縮小傾向にあり、電子機器筐体内における熱の問題が不可避です。 高発熱体及びファン等の換気用部品の設置箇所によっては機器自身の性能にも深く関与します。 その知見を得るため解析を行いました。詳しくはカタログをダウンロードしてください。
建築・土木、機械・電子の分野における熱流体解析にノウハウを持っています。その解析レベルとコストパフォーマンスをお試し下さい！
私どもは10数年にわたって様々な熱流体解析業務に従事し、多くのお客様 とともに汗を流し知恵を絞って、多くのノウハウと知見、及びプレゼンテーション技術を蓄積してまいりました。 私どもが提供する受託解析は、 ・ソフトを使えないユーザでも利用可能． ・時間のない時や解析作業量が大きい場合に便利． ・報告書などで初心者でも結果の解釈が可能. ・専門家が解析を行うので、結果の精度に不安がない． など、多くの利点を持っています。 私どもは、お客様との有機的なコラボレーションによって解析のレベルをより一層高めつつ、未知の現象にシミュレーションの光をあてながら新たな知識の地平を開くことをお約束します。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードして下さい。
製品形状・樹脂の特性、金型設計及び成形条件の影響を事前にチェックします。
製品設計時、金型設計前に成形加工性を評価し、設計品質を上げることにより、後工程で発生する不具合を軽減し、開発工程を効率化できます。
設計品質の向上、試作や実験の工数低減、開発期間の短縮などが期待できます。
構造解析の活用により製品強度についての設計品質向上、 試作や実験の工数低減、開発期間の短縮などが期待できます。 弊社は製品や部品の強度上の問題を抱える設計者を、豊富な 専門知識と解析技術でバックアップします。
樹脂の専門知識とノウハウでご希望の技術をご提供！【解析】
恒徳アイデックは、樹脂の専門知識とノウハウで、解析技術をご提供します。 【特徴】 ○構造解析 構造解析の活用により製品強度についての設計品質向上、試作や実験の工数低減、開発期間の短縮などが期待できます。 ○樹脂流動解析 製品設計時、金型設計前に成形加工性を評価し、設計品質を上げることにより、後工程で発生する不具合を軽減し、開発工程を効率化できます。 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Cu板における圧縮前後での変化を観察！圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「SEM像」や「吸収電流像（電流センス）」など！配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します
当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 『EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み』では、 ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線の オープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいた コントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗 不良箇所を検出することもできます。 【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ■重ね合わせ画像 ■吸収電流像（電流センス） ■吸収電流像（電圧センス） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所などが分かる、EBSD解析をご紹介します！
フレキシブル基板（FPC）のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用！不点灯や輝度劣化の原因を調査
当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、（a）,（b）点灯観察、 （c）樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験（輝度分布観察） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について確認しました！
市販のLiイオン電池に使用されているセパレータについてFT-IR分析にて、 材料分析を行った後、高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について 確認しました。 資料では、Liイオン電池セパレータの材料分析や高温環境下における セパレータの状態変化観察をグラフや写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池セパレータの材料分析 ■高温環境下におけるセパレータの状態変化観察 ・セパレータを135℃の一定温度で時系列的に断面の状態変化を FIB/SEMにて観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
