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In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス

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最終更新日:2019年11月07日

株式会社アイテス
株式会社アイテス
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In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス

In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。 ●正確な故障時間の把握が可能  決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。  In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。 ●回復性故障の検出が可能  回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。  リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。 ●試料へのストレス印加状態の監視が可能  ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。

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In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス

In-situ THB試験システム.png
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基本情報

In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。 ●正確な故障時間の把握が可能  決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。  In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。 ●回復性故障の検出が可能  回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。  リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。 ●試料へのストレス印加状態の監視が可能  ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。

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用途/実績例

■In-Situ HAST試験/In-Situ THB試験((高加速)高温高湿バイアス試験)  特徴・・・高温高湿バイアス試験中、絶縁抵抗値の常時測定が可能  摘要製品・・・プリント配線板、半導体パッケージなど  評価対象・・・イオンマイグレーションなど ■In-Situ TC試験(温度サイクル試験)  特徴・・・温度サイクル試験中、微小抵抗値/温度の常時測定が可能  摘要製品・・・半導体パッケージ、実装基板  評価対象・・・はんだ接合部など ■In-Situ EM試験(高温電流印加試験)  特徴・・・高温試験中、電流印加/抵抗測定/抵抗体による温度測定が可能  摘要製品・・・半導体パッケージ、ICチップ  評価対象・・・はんだ接合部、配線部など

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パワーデバイスのトータルソリューションサービス

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パワーデバイスのHAST試験

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【資料】ビニルポリマー(樹脂材料)のIR分析

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ハイパワー恒温恒湿槽での環境試験

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冷熱衝撃試験

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液槽冷熱衝撃試験

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パワーデバイスの逆バイアス試験(最大2000V)

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積層セラミックコンデンサ連続通電試験

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冷熱衝撃試験のひずみ測定

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ディスクリート半導体のIOL試験

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恒温恒湿試験中の槽内撮影

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この製品に関するニュース(4)

恒温恒湿試験中の槽内撮影

  • その他・お知らせ

当社では、前面ガラス窓の恒温恒湿槽とカメラを用いて、画面表示などの 動作状態を撮影・監視を行いながらの環境試験に対応します。 恒温恒湿槽などを用いた環境試験中に試験対象物の状態確認のため、 ロガーなどを用いたモニタリング(電圧・電流・抵抗、温度等)を 行う事は広く行われています。 ただし、試験中の機器の動作状況を監視することは専用の外部出力などが 試験対象機器に備えられていない限り困難なことがあります。 ロガー等でのモニタリングが困難なサンプルに対して、前面ガラス窓の オプションを装備した恒温恒湿槽とカメラ・監視ソフトを組み合わせ、 試験中の試験機器の状態を撮影・監視を行いながら環境試験を行います。

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ディスクリート半導体のIOL試験

  • 企業ニュース

当社では「ディスクリート半導体のIOL試験」を行っています。 常温環境下にて通電ON/OFFを繰り返し行い、通電時のデバイス自身の発熱により 温度変化によるストレスをデバイスに加えます。通電OFF時(冷却時)は ファンによる強制冷却も行います。 また、試験実施前に代表サンプルを使用し、試験温度条件に到達するように 調整を行います。加熱時の電流/時間、冷却時のファン能力/ 稼働タイミングなどを調整することが可能です。

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冷熱衝撃試験のひずみ測定

  • 製品ニュース

当社で行った「冷熱衝撃試験のひずみ測定」についてご紹介いたします。 冷熱衝撃試験装置にひずみゲージを貼り付けたサンプルをセットし、 ひずみゲージの配線は槽外のデータロガーに接続して試験中のひずみデータを リアルタイムで記録。 二種類の銅張積層板について、冷熱衝撃試験中のひずみ挙動を観測し、 温度の変化に伴い大きなひずみが生じることが観測されました。 FR-1はFR-4に比べ、生じるひずみがより大きいことが分かりました。

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パワーデバイスの逆バイアス試験(最大2000V)

  • 製品ニュース

株式会社アイテスでは、パワーデバイスの酸化膜及び接合部評価の 高温逆バイアス試験(HTRB)が最大2000Vまで印加できます。 試験中のリーク電流のモニタリングにより、リアルタイムでデバイスの 劣化状況が把握可能。電源が独立しているために試験中に一つのデバイスが 故障した場合でも他のデバイスに影響を及ぼしません。 また、不良基準(電流値)の設定が可能で不良判定デバイスの電源を 不良判定時に遮断することができます。 【仕様・サービス内容】 ■試験電圧:最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流:最大14mA ■試験数量:最大8個(電源独立) ■対応モジュール:TO-247、TO-220 等(その他のパッケージは接続方法など要相談) ■測定内容:リーク電流のモニタリング ■温度範囲:最大200℃(高温高湿の場合85℃/85%)

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株式会社アイテス

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アイテスは、日本アイ・ビー・エム野洲事業所の品質保証部門を母体として1993年に設立されました。 日本アイ・ビー・エム野洲事業所での最先端電子部品の不良解析・信頼性保証で培った技術力を基盤にして、半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える様々な商品、サービスを国内、海外のお客様へ提供してまいりました。

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