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  6. SEM-EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度

SEM-EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度

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最終更新日:2021年03月29日

株式会社アイテス
株式会社アイテス
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正しい分析結果には適切な加速条件を!加速電圧の違いでEDX検出深さが変わります!

SEM-EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度についてご紹介します。 一般的なプリント基板(PCB基板)のAuめっき表面を分析した際、下層のNiが 露出していないにも関わらず検出される場合があります。 これは電子線の散乱深さに関連性があり、正しい分析結果を得るには適切な 加速条件を設定する必要があります。 今回、モンテカルロシミュレーションを用いて加速電圧の違いによる EDX検出深さについて確認を実施。 今回はほんの一例に過ぎませんが、正しい分析結果を得るには電子が どのように散乱しているか想像しながら加速電圧を設定することが大切です。 【テスト基板概要】 ■試料は一般的なプリント基板(PCB基板)のAuめっきパッドを用いた ■層構成はCu配線上にNiめっき/Auめっきが施されたもの ■Auめっきの厚みは断面観察より、212nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SEM-EDX分析時の加速電圧の違いによる検出感度

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【EDX分析結果】 ■加速10kVではAuめっき下層のNiは検出されていないが、加速電圧12kV以上だと  下層のNiが検出されている ■加速電圧を上げると何故、下層の情報を検出するのか、モンテカルロ  シミュレーションにて確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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アイテスは、日本アイ・ビー・エム野洲事業所の品質保証部門を母体として1993年に設立されました。 日本アイ・ビー・エム野洲事業所での最先端電子部品の不良解析・信頼性保証で培った技術力を基盤にして、半導体、ディスプレイ、有機EL、太陽電池、電子部品の開発・製造を支える様々な商品、サービスを国内、海外のお客様へ提供してまいりました。

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