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多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

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最終更新日:2024年10月12日

テルモセラ・ジャパン株式会社
テルモセラ・ジャパン株式会社
  • 公式サイト

高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ(Φ4inch用) 4元マルチスパッタ(Φ6, 8inch用)

連続多層膜、同時成膜(2〜6元同時成膜:RF, DCをHMIより自在に配置切替) 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ(二重ジャケット水冷式)オプション -1) Max600℃(ランプ加熱) -2) Max1000℃(C/Cコンポジット) -3) Max1000℃(SICコーティング) ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(<30W) システム主制御:'IntelliDep'制御システム Windows PC(又はTP HMI)インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理

    空気調和設備ダクト関連設備
ML-S125-iPROS_550-1.jpg

多元マルチスパッタ装置【MiniLab-S125A】

ML-S125-iPROS_550-1.jpg
ML-S125-iPROS_550-1.jpg
  • 関連リンク - https://thermocera.com/products/thinfilmdepo/minil…

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基本情報

【主仕様】 ・基板サイズ:Max12inch対応 ・チャンバー:SUS304 UHV対応、500 x 500 x500mm ・到達真空度:5 x 10-5pascal ・スパッタカソード:Φ2"(最大6)、Φ3"(最大4) ・プラズマ電源:RF150W, 300W, DC850W, HiPIMS 5KW ・MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング ・ターボ分子ポンプ + ドライスクロールポンプ ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー <30W 低出力制御*ソフトエッチング *独自の"Soft-Etching"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC制御:操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法:1,767(W) x 754(D) x 1,645(H)mm ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着などの混在仕様も構成可能です。 ●マルチチャンバー式も製作可能です。

価格情報

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用途/実績例

電子デバイス・燃料電池・ディスプレイ等の製造工場、大学・研究機関、薬品・化学工場、食品工場、他多数

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【MiniLab(ミニラボ)】シリーズフレキシブル薄膜実験装置

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★【MiniLab-060】フレキシブル薄膜実験装置★

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【nanoPVD-S10A】RF/DCマグネトロンスパッタリング装置

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薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2024」

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【TCF-C500】超高温小型実験炉 Max2900℃

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【PyroNFC】スマートホン設定式赤外線放射温度センサー

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【ExTemp】本質安全防爆型赤外線放射温度センサー

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【PyroUSB】USB接続式 高精度赤外線温度センサー

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ソフトエッチング装置【nanoETCH】<30W低出力制御によるダメージレスエッチング

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この製品に関するニュース(8)

ANNEALウエハーアニール装置の製品画像

ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応

  • 製品ニュース

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar) [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

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Mini-BENCH-prismの製品画像

◉Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃

  • 製品ニュース

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲(るつぼ寸法) ・面状ヒーター加熱範囲:Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲:Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

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Mini-BENCH小型実験炉(Φ2inch仕様)の製品画像

□■□■【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃ □■□■

  • 製品ニュース

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃ ◆装置構成◆ 予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成:チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系(ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類) ◉ 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) ◉ 面状ヒーター:Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◆基本仕様◆ ・ヒーター:C/Cコンポジット(カーボン炉), タングステン(メタル炉) ・断熱材:グラファイトフェルト材, タングステン/モリブデン ・温度制御:プログラム温度調節計、C熱電対 ・到達真空度:1x10-2Pascal(*但し空炉の場合) ・電源仕様:AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水:3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ他

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MAG seriesマグネトロンスパッタリングカソード

★【マグネトロンスパッタリングカソード】★ テルモセラ・ジャパン

  • 製品ニュース

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。 【特徴】 ・高真空対応 ・Φ2inch、Φ3inch、Φ4inchサイズ ・クランプリング式を採用、ボンディングが不要 ・メンテナンス性に優れ、容易にターゲットの交換が可能 ・シャッター、チムニーポート、ガスインジェクション、磁性材用高強度マグネット、などのオプションが豊富 ・各種フランジサイズ接続に対応 【主仕様】 ■RF, DC, パルスDC対応 ■ターゲット厚さ:1/16"〜1/4" ■N型同軸コネクター接続 ■水冷式:4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続 ■ケース材質:SUS304 ■ターゲットクランプ材質:Al, or SUS304 ■ベローズ(*Flexi-headタイプ)材質:SUS316 ■絶縁材:PEEK/PTFE ■シール材:Viton ■高強度マグネットパック:NiFe

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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。

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