次世代SiCパワーデバイスに対応可能！優れたパフォーマンスを実現します。
『無電解Agめっき』は、次世代SiCパワーデバイスに対応した オジックテクノロジーズの技術です。 従来の技術では、高温環境下での動作の不安定さや、デバイスの 高性能化に対応できない問題点があり、SiCパワーデバイスなどに 対応するため、より高度な処理が必要とされていました。 当社の『無電解Agめっき』は、Agナノ粒子での高融点金属接合により、 高温環境での動作が可能となるなど、従来技術の課題を解決できます。 【特長】 ■DIG (Direct Immersion Gold)などのAu代替めっきとして 優れたパフォーマンスを実現 ■下地(Cuなど)の影響を受けず、酸化せず、長期間品質を維持 ■均一な薄膜を形成(0.1~0.5μmt)することで、微細配線パターンや 部分めっきにも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【従来技術の問題を解決】 ■高温環境下での動作が不安定 ■はんだ接合温度の低温化が困難 ■二次実装時に耐熱性が必要 ■デバイスの高性能化に対応できない ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
ものづくりの基盤的技術、紀元前からの歴史を持ちその時代時代の先端産業に役立つように進化してきた技術、そして今では誰でもやれなくなってきた技術、その表面処理技術を次世代により進化させて提案していくのが当社の使命であると考えています。そしてその進化はお客様とのコミュニケーションから始まります。お客様が使われる素材について学び、要求される機能特性を理解し、出来上がった製品が使われる環境、果たすべき役割について勉強します。必要があれば大学や公設研究機関とも連携します。そして最適な表面処理技術を提供させていただきます。