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鉛フリー半田が普及する一方、Snメッキあるいは半田付け部から発生 する金属結晶のウィスカは電子部品の信頼性に大きな影響を与えます。 当社では、信頼性試験から解析まで一貫したウィスカ評価が可能です。 基板中のどの部品、どのピンにウィスカが発生しているか検査員が 逃さず観察します。 【特長】 ■信頼性試験後に実装基板の外観観察を行い、ウィスカ有無の判定 ■外観観察にてウィスカが検出されたらデジタルマイクロスコープで 観察・測長 ■より詳細に観察、分析を行いたい場合は、表面SEM/EDX分析を実行 ■必要に応じて、断面観察（SEM）や結晶方位解析（EBSD）などの観察、 解析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 『EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み』では、 ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線の オープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいた コントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗 不良箇所を検出することもできます。 【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ■重ね合わせ画像 ■吸収電流像（電流センス） ■吸収電流像（電圧センス） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 EELS分析とEDS分析は、TEM試料に加速した電子を照射することで 元素同定を行う分析手法です。 「異なるカーボン膜」の事例では、状態分析が特長である EELS分析手法を用いてナノ領域での膜質評価を行いました。 EDS分析ではスペクトルの比較からBottom膜のみN,Oを微量に検出。 EELS分析では2つのSpectrumのショルダー形状が違うことから 有機膜に配合されているN,OとCの結合状態を比較することが可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特長】 ■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能 ■他手法より短納期で対応 ■濃度は10E16まで検出可能 ■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では『表面実装電子部品の断面観察』を行っております。 機械研磨後の断面観察により、実装基板上の電子部品のはんだ接合状態 （クラックやボイド有無）、部品の内部構造を詳細に観察することが可能。 「SOP部品」では、断面全体像から半田接続部まで詳細な観察ができ、 「アルミ電解コンデンサ」では、電解コンデンサ部品の内部構造から 基板への接続状態まで観察可能です。 【特長】 ■SOP (Small Outline Package) 部品 ・SOP部品の断面全体像から半田接続部まで詳細な観察が可能 ■チップセラミックコンデンサ ・部品材クラックから、はんだ部のクラックまで詳細に観察可能 ■アルミ電解コンデンサ ・電解コンデンサ部品の内部構造から基板への接続状態まで観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では『実装部品・電子部品の断面研磨』を行っております。 様々な部品の観察に好適な断面試料をスピーディーにご提供するため、 1つ1つの部品を手作業で丁寧に、無駄のない工程で研磨加工しております。 ぜひ一度、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■様々な部品の観察に好適な断面試料をスピーディーにご提供 ■1つ1つの部品を手作業で丁寧に、無駄のない工程で研磨加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができ、対象の サイズや求める精度により、適した対物レンズを選択し、観察や測定を実施。 範囲はレンズに応じて異なりますが、連結機能を有しているため、広範囲での 観察、計測も可能です。 【特長】 ■平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができる ■対象のサイズや求める精度により、適した対物レンズを選択 ■連結機能を有しているため、広範囲での観察、計測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 408nmレーザーを用いて観察、計測を実施。測定結果は国家基準につながる トレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。 レーザー顕微鏡では、試料表面の凹凸形状の3D測定ができ、透明体の膜厚形状や 透明体越しの表面形状測定が可能です。 【特長】 ■試料表面の凹凸形状の3D測定が可能 ■透明体の膜厚形状や透明体越しの表面形状測定が可能 ■408nmレーザーを用いて観察、計測 ■測定結果は国家基準につながるトレーザビリティ体系に基づく ■測定機器として非破壊測定に活用できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CP法は、機械研磨法に比べ、研磨によるダメージがない状態で断面を 観察することが可能です。 当社の冷却機能付トリプルイオンミリング装置は、3方向から照射する イオンビームにより、高い加工精度と広い加工領域を実現。 熱に弱い材料の場合には冷却機能でダメージを軽減しながらの加工も可能です。 【特長】 ■加工幅約4mm/加工深さ約1mmと広範囲での加工が可能 ■硬軟材において平坦性が高く、物理的ダメージの無い断面の作製ができる ■位置精度が良い断面の作製が可能 ■冷却（クライオ）しながらの加工ができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 例えば、SEM中で試料を大きく傾斜し電子線を照射したとき、試料が結晶性 の物であれば、試料内で電子線回折が生じます。そのパターンを指数付け することでその点の結晶方位を求めることが可能となります。 結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ■結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SEM像、Phaseマップ、結晶粒ごとにHigh lightするCu6Sn5のIQマップ、 粒界の回転角をHigh lightするCu6Sn5のIQマップを用いて、 EBSD法による結晶を解析しました。 Cuパッド/はんだ界面にはCu6Sn5やAg4Sn等の化合物が成長しており、 ヒストグラムにより結晶サイズや結晶傾角の分布を示すことができます。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・SEM像 ・Phaseマップ ・Cu6Sn5のIQマップ(結晶粒ごとにHigh light) ・Cu6Sn5のIQマップ(粒界の回転角をHigh light) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉄板(Fe)について、EBSDによる解析例を紹介致します。 ヒストグラムのグラデーションと対応する結晶粒分布 map、 IPF map、結晶粒分布などを用いて、EBSDにて結晶構造を観察。 EBSD法により結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認でき、 マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPF map ・結晶粒分布 map ・結晶粒分布 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高融点はんだ(Snを少量含むPb基はんだ)について、EBSDによる 解析例を紹介致します。 EBSD法により結晶粒分布や、残留応力を推測することが可能。 また、結晶構造が異なる金属については同時に解析できるものがあり、 それぞれの金属で各データの取得ができます。 【特長】 ■結晶粒分布や、残留応力を推測できる ■結晶構造が異なる金属については同時に解析できるものがあり、 それぞれの金属で各データの取得が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
積層基板で形成されるビア(Cu)について、EBSDによる解析例を 紹介致します。 EBSD法により結晶サイズの分布や、残留応力を推測することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPFマップ ・GRODマップ ・結晶粒分布map ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスは、パイプのEBSDによる解析を実施しています。 EBSD法により結晶サイズの分布を確認することや、配向性を 確認することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた 特長を可視化できます。 【概要】 ■結晶サイズの分布、配向性を確認 ■グラフに現れた特長を可視化できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD法により結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認する ことができます。 今回はネジの谷部分の方位差が大きいことがわかり、残留応力が 大きいことが推測されます。 また、ネジ表面には粒径の小さい結晶粒が分布している様子も 観察されました。 【概要】 ■解析方法 ・EBSDにて結晶構造を観察 ■結果 ・ネジの谷部分の方位差が大きいことがわかった ・残留応力が大きいと推測 ・ネジ表面には粒径の小さい結晶粒が分布している様子も観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。 パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封し、EBSDによるチップ表面の Alパターンの解析を実施。 その結果、Al配線に配向性が見られました。 法線方位が分布しており、結晶が多く存在していると考えられます。 【概要】 ■解析方法 ・パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封 ・EBSDによるチップ表面のAlパターンの解析を実施 ■結果 ・Al配線に配向性が見られた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
信頼性試験の間、試料は刻々と変化します。 「どの時点でクラックが入ったのか」「劣化の進行はどのように 進んでいくのか」「初期状態とどれくらい変化したか確認したい」 ということはございませんか？ 信頼性試験と組み合わせることで、時系列かつ非破壊で対象物を 評価いたします。 【特長】 ■ウィスカ観察、マイグレーション観察、耐圧観察、はんだ評価、 薬品侵蝕試験、市場での経年劣化品などの変化観察に応用可能 ■環境試験、観察頻度はお客様のご要望の条件にて実施 ■電気特性、SEM観察、元素分析、断面観察などの追加解析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスでは、XPS角度分解法による薄膜層の深さ方向分析を 行っております。 サンプルとXPSの光電子検出器との角度を変えることにより、光電子の 検出深さを変えることが可能。 これより得られたデータをシミュレーションにより数値的に解析し、 深さ方向のプロファイルに変換します。 通常のイオンエッチング法では測定が困難な表面付近nmオーダーの、 均一な薄膜の深さ方向分析を実現します。 HDD磁気面の深さ方向を分析した事例もございます。 【特長】 ■非破壊でnmオーダーの薄膜の深さ方向分析が可能 ■均一な薄膜の深さ方向分析を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
製品の製造過程、および使⽤時において、たくさんの不具合が発⽣します。その中でも材料特性に関わるような課題で、「おそらく材料が原因なんだろうけど、何をどうすればよいのかなあ」、とお悩みの方々には、電子、原子、分子、および化学反応メカニズムの視点で適しているソリューションを提案いたします。 ■課題例 ・なにかしら、この変⾊はどうしてなの？ ・なぜすぐにヒビが入ったの？ ・引張試験をすると、すぐに千切れる理由はなぜ？ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスが行う、断面観察前処理(試料切断・樹脂包埋)について ご紹介します。 大型の基板や厚みのある部品を切断するのに適したバンドソー 「HOZAN K-100」をはじめ、アイソメット「ビューラーLow speed saw」 などの試料切断用の装置を使用。 「HOZAN K-100」では、X150mm、Y230mm、Z70mm程度までの大きさの 試料を切断できます。 また、切断後の試料をエポキシ樹脂等で包埋しますが、先に樹脂包埋してから 切断することも可能です。 【ラインアップ】 ■バンドソー ■アイソメット ■多機能型ダイヤモンドワイヤソー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスの、ワイヤーソーによる切断加工についてご紹介します。 単体試料で行う複数回の断面作製もワイヤーソーなら切り分け分割が可能。 削り進めないので観察や分析なども再度行うことができます。 また、カット事例では、微小で脆い白米も割れや欠けを生じず分割する事が できています。 カット加工のみから観察・分析までご要望がございましたら、お気軽に お問い合わせください。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスは、アイソメットによるスライス加工を行っています。 複数列あるコネクタピンの全てを断面観察したい場合、削り進めて次の列へ… という手順が通常ですが、スライス加工を行えば、作製した断面をそのまま 残しておくことが可能です。 また、複数列あるコネクタピンのスライス加工の事例もございます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「顕微ラマン分光光度計」は共焦点光学系が採用されており、 顕微鏡のように深さ方向に焦点位置を変化させることで、多層膜の表面から 各層の材料分析が可能です。 顕微ラマン分光光度系の共焦点機能を用いて、ラマンレーザー光の焦点を 深さ方向に変化させることができます。 また、焦点位置を連続的に変化させれば、深さ方向に連続的にスペクトルを 取得することが可能です。 【特長】 ■共焦点光学系を採用 ■多層膜の表面から各層の材料分析が可能 ■ラマンレーザー光の焦点を深さ方向に変化させることができる ■深さ方向に連続的にスペクトルを取得することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、工作機械などのブラウン管（CRT）モニターを 液晶ディスプレイ（LCD）へと置き換えるサービスを提供しています。 「ブラウン管モニターが点かない」「モニター部分だけを修理したい」 といったお悩みはありませんか？ モニターの置き換えのみで工作機械が使えるようになれば、新規購入に比べ コスト節減につながります。修理対応の可否など、お気軽にお問い合わせください。 【置き換えまでの流れ】 CRT信号線の確認 →信号変換器にCRTからの信号を接続 →信号変換器の出力をLCDに接続 →信号変換器の設定を調整し、画面を確認 ※ダウンロードボタンより本サービスのチラシをご覧いただけます。
当資料は、ガスクロマトグラフィー質量分析法「GC-MS」によるPCモニター& デジタル時計の成分比較をご紹介しています。 液晶ディスプレイには、小さな有機物(液晶分子)が入っています。 それらは技術革新に伴い、製品の特性に適した分子構造へと発展していきました。 当社では、それらの違いを「GC-MS」を用いて、分子レベルで解明することで、 使用目的に合った液晶分子であることや、不純物の有無を確認することができます。 【掲載内容】 ■GC-MSによるPCモニター&デジタル時計の成分比較 ■液晶成分のGCMS分析事例 セグメント方式液晶ディスプレイ(デジタル時計)とカラーTFT液晶ディスプレイ(PCモニター)の成分数と特徴を比べてみました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスでは、分析解析・信頼性評価サービス「顕微ラマンによる 樹脂材料結晶化度分析」を行っております。 顕微ラマン分光光度計によって得られるスペクトルから、ピークの半値幅の 違いにより、微細な範囲で樹脂材料の結晶化度を求めることが可能。 PETボトル飲み口からボトル本体にかけての結晶化度変化を調べた 分析事例もございます。分析解析・信頼性評価は当社におまかせください。 【概要】 ■ラマン分光法による樹脂材料の結晶化度分析 ・ラマンスペクトルの線幅は結晶性を反映して変化 ・C＝O伸縮バンドの半値幅と結晶化度を求めることが可能 ・PETの相対的な結晶化度を求めることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、試料表面を微小プローブで走査し、ナノレベルの 構造解析を実現いたします。 「形状測定（タッピングモード）」では、周期的に振動させた プローブで試料表面を軽くタッピングし、表面形状を計測。 また、「位相イメージング」は、カンチレバーを動かす周期信号と カンチレバーの振動との間の位相遅れをマッピングし、形状には 現れない物性の違いを可視化します。 【特長】 ■微小プローブによる高分解能でのイメージング ■導体、半導体、絶縁体を問わず測定可能 ■微小な触圧によりほぼ非破壊で測定できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
再現実験により、Siウエハ上に水玉状の汚染物を作成した事例のご紹介です。 同じ位置でSEM-EDXとTOFSIMSによる測定を行い、イメージマップの比較を 行いました。 TOF-SIMSイメージマップではウォーターマークとその周囲に有機物（CH,CN）、 Na、K、が検出されました。 ウォーターマークの周囲は光学像、SEM像及びEDX分析においても汚染と 思われるものが確認できないが、TOF-SIMSイメージマップでは微量の汚染物が 付着していることがわかりました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TOF-SIMSは元素及び有機物の分子、フラグメントイオンの検出が 可能であり、有機物の分析にも有効です。有機物分析の例として ポリエチレングリコールを分析した事例をご紹介します。 二次イオンマススペクトルは有機物の定性に有効な知見を得られる 場合があります。 今回の事例では、ポリエチレングリコールに特長的な繰り返し構造 （C2H4O）を質量差44のピーク群として確認できます。 質量数から計算すると、末端はH-,HO-であり、プロトン付加として 検出されていることが推測されます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TMA（熱機械測定）』は、試料に一定の荷重をかけた状態で試料温度を 変化させ、試料の寸法変化を測定する手法です。 材料の熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度などの情報が得られます。 また、温度範囲は－150～1000℃、サイズ最大はΦ10×25mm（圧縮モード、 針入れモード）、サイズ最大は0.7mm×5mm×20mm（引張モード）が 測定可能条件です。 本資料では半導体封止材のTMA分析事例を掲載しています。 【特長】 ■熱機械測定 ■試料に一定の荷重をかけ試料温度を変化させる ■試料の寸法変化を測定 ■熱膨張、熱収縮、ガラス転移温度などの情報が得られる ■複数の測定モード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TG-DTA（熱重量示差熱分析）』は、試料の温度を一定のプログラムによって 変化させながら、試料の重量測定（TG）と試料と基準物質の温度差の測定 （示差熱測定）（DTA）を温度の関数として同時に行う分析です。 測定可能条件は、温度範囲が室温～1000℃、必要サンプル量は10～20mg、 サンプル形状はフィルム、粉末、バルクです。 【特長】 ■熱重量示差熱分析 ■試料の温度を一定のプログラムによって変化させる ■試料の重量測定と基準物質の温度差の測定を温度の関数として同時に行う ■必要サンプル量：10～20mg ■サンプル形状はフィルム、粉末、バルク ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『DSC（示差走査熱量分析）』は、試料の温度変化によって発生した 基準物質との温度差から、熱量差を求め、試料の吸熱/発熱の度合いを 観察する分析手法です。 温度範囲は-90℃～550℃、必要サンプル量は5～10mg、サンプル形状は フィルム、粉末、バルクが測定可能条件です。 【特長】 ■示差走査熱量分析 ■試料の吸熱/発熱の度合いを観察 ■温度範囲：-90℃～550℃ ■必要サンプル量：5～10mg ■サンプル形状：フィルム、粉末、バルク ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『DMA（動的粘弾性測定）』は、高分子材料に周期的な振動荷重を与え、 生じる応力と位相差から、弾性や粘性を温度の関数として測定する分析です。 ガラス転移、緩和など高分子の分子運動や分子構造に関わる情報を 得ることができます。 【特長】 ■動的粘弾性測定 ■高分子材料に周期的な振動荷重を与える ■弾性や粘性を温度の関数として測定 ■高分子の分子運動や分子構造に関わる情報を得られる ■多数の測定モード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、当社で行ったX線透視やCT検査装置のさまざまな解析事例をご紹介しております。X線透視観察や斜めCT観察の「BGAはんだクラック解析事例」をはじめ、「表面実装LED」や「チップ抵抗の観察事例」などを掲載。 【掲載内容（抜粋）】 ■BGAはんだクラック解析事例（X線透視観察） ■表面実装LED ■チップ抵抗の観察事例 ■リフローシュミレータ ■マイクロフォンの観察事例（X線透視観察＆直交CT観察）... ★現在【X線透視・CT検査装置の事例集】を無料進呈中！ PDFダウンロード”よりスグにご覧いただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、分子構造解析のための分析手法として一例をご紹介しています。 液晶高分子（LCP）をはじめ、IRによる構造解析やラマンによる構造解析、 GC-MS分析による低分子液晶（for LCD）のTICデータ、および検出物質などを 図や表とともに掲載。 量子レベルでの分析解析には、層の厚い技術集団「アイテス」へ、 是非ご相談ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■液晶高分子（LCP） ■LCP（全芳香族ポリアミド）の構造解析 ■IRによる構造解析 ■ラマンによる構造解析 ■XPS（ESCA）による構造解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【イプロス初主催】AIを活用したリアル展示会！出展社募集中
