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EPMAによる状態分析では、酸化物やケイ酸塩の化学結合状態（イオン価、 結晶構造、配位数）の異なりから、特性X線ピーク波長に変化（シフトや波形）が 生じることを利用し、標準スペクトルと比較することで結合状態を推定します。 2種類の銅酸化物の識別において、黒色CuOと赤色Cu2Oの色彩による識別が 困難な場合、特に電子顕微鏡が必要なミクロな対象物に対して、EPMAによる 酸化状態の把握が可能です。 また、Al表面の薄い酸化層の測定には最表面分析手法のXPSが有効ですが、 異物等の微小物や塊状物、バルク、複合材等に対して、EPMAによる酸化状態の 把握ができます。 【装置仕様】 ■日本電子（株）製 Jeol-8200 ■分析方式：波長分散型X線分析（WDX） ■分析可能元素：B～U ■エネルギー分解能：20eV（EDXは約130eV） ■検出限界：0.01％～ ■最大試料寸法：100x100mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
長期の使用により破損したカニカンの破断部について、観察、 元素分析、EBSDによる解析を行いましたので紹介致します。 EDXによる元素分析では、マッピング分析の結果、Pb結晶の 粒界にSbの分布が見られました。 また、EBSD法により結晶粒の配向性や方位差を確認できました。 【解析概要】 ■EDXによる元素分析 ・マッピング分析の結果、Pb結晶の粒界にSbの分布が見られた ■EBSDによる解析 ・EBSD法により結晶粒の配向性や方位差を確認することができた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CCDカメラモジュールは、小さな筐体の中にセンサや制御素子、AF駆動機構など 電子技術と機械技術を融合した複雑な構造で構成されています。 また材料も金属、ガラス、樹脂など多数使用されており、断面作製は困難な 部類となります。 当社では、高い技術で、このような難易度の高い試料の断面も作製できます。 【CCDカメラモジュール断面】 ■小さな筐体の中に複数のレンズやフィルターが内蔵 ■AF機能を有する製品では焦点調整の機構や制御素子なども内蔵されている ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ACアダプターのX線観察による不良解析事例をご紹介します。 出力が安定しないACアダプターをX線観察装置（YXLON社製Cheetah EVO） により観察したところ、断線部位が発見されました。 透視観察で、内部の部品や実装はんだ部に異常は確認されませんでしたが、 配線の付け根に断線が疑われる個所が確認できました。 非破壊で行えるX線観察は初期観察に有効です。 【不良解析事例】 ■対象：ACアダプター ■使用装置：X線観察装置（YXLON社製Cheetah EVO） ■断線部位：ワイヤー付け根 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
こののたび当社では、MEMS加工サービス/MEMS ファウンドリサービスを開始いたしました。国内最大規模の8インチＭＥＭＳラインを有するオムロン 野洲事業所（滋賀県野洲市）にてウェハ工程の試作から量産までお客様の様々なご要望にお応えいたします。 ＵＲＬ：https://www.ites.co.jp/wafer/foundry.html ■特徴 ・お客様設計仕様に基づく試作 ・製品設計段階でのプロセス提案から参画しての試作 ・量産ラインの構築 ・生産量強化のためのセカンドファブの立ち上げ ・試作から量産まで一気通貫でのスピード立ち上げ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料では、ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて、 機械研磨にて断面を作製し、SEM観察及びEBSD解析した事例を 紹介しています。 ICパッケージの表面SEM像をはじめ、断面SEM像などを掲載しています。 EBSD法により測定された結晶粒と結晶粒界が一致していることがわかります。 ぜひご一読ください。 【掲載事例】 ■観察/断面作製 ■EBSDによる解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、イオンクロマトによる低分子有機酸の分析事例について 掲載しております。 イオンクロマトではCl-,Br-,SO4^2-以外にも、一部の有機物を検出可能。 分析事例として低分子有機酸を陰イオン交換モードで測定した例を 示します。ぜひ、ご一読ください。 【掲載事例】 ■乳酸、酢酸、プロピオン酸、ギ酸 ■アクリル酸、メタクリル酸 ■安息香酸 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
裏面OBIRCH/発光解析や裏面発光解析の前処理として各種形態のサンプルの 裏面研磨を行います。 これは、裏面から解析を行うため不可欠な前処理です。 裏面から解析することで、不良を保持したまま発光を検出できるだけでなく、 形状異常の有無も観察できます。 また、パッケージ、開封済みチップ、ウエハー等様々な形態の半導体で 裏面研磨ができ、さらにリード端子を生かした状態の裏面研磨も可能です。 【特長】 ■裏面解析は、電極による遮光や高濃度基板による光の減衰により 透過しないため、裏面研磨が必要 ■不良を保持したまま発光を検出できる ■形状異常の有無も観察できる ■リード端子を生かした状態の裏面研磨も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、（a）,（b）点灯観察、 （c）樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験（輝度分布観察） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
異種材料ではあるが類似分⼦構造を有する場合、その相溶性や 特性の類似により複合製品の開発発展と拡⼤に期待が持てます 。 しかし、類似ではあるが落とし⽳も存在し、例えば、線膨張率の 違いによりその界⾯に歪とズレが生じ、そして剥離に至るケースも 少なくありません。 本資料では、主鎖骨格が類似のPET、PENフィルムの線膨張率の違いと その差異を生むメカニズムを解明した事例をご紹介します。 【掲載内容】 ■素材PET PENについて ■XPS分析（結合状態の比較） ■TMA分析（線膨張率の比較） ■データ解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「超微⼩硬度計による材料評価」では、⾦属・⾼分⼦・ プラスチック・セラミックス等の材料の超微⼩硬度測定を行えます。 また、硬さを数値化できるため、経年の品質管理にも役⽴ちます。 圧⼦に荷重をかけている状態で、くぼみの押し込み深さを直読し、 硬さを求めます。回復挙動における特性値を求めることも可能です。 【装置概要】 ■試験⼒レンジ0.4mN～1000mN 精度±0.02mN ■押し込みレンジ1nm（0.01μm）～700μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
セラミック（Al2O3）について、EBSDによる解析例を紹介致します。 「観察/元素分析」では、EDXによる元素分析からAl2O3と判断され、 マップよりSiが点在している様子が観察されました。 「EBSDによる解析」では、EBSD法により結晶サイズの分布や配向性を 確認でき、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【解析概要】 ■観察/元素分析 ・SEMによる観察とEDXによる元素分析 ■EBSDによる解析 ・EBSDにて結晶構造を観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
銅張積層板表面に発生した変色部をラマンにて分析した事例をご紹介します。 当社のラマン分光分析は、有機物だけでなく、金属酸化物などの 無機化合物の分析も可能です。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【分析内容】 ■銅張積層板表面の黒点分析 ・表面に僅かな変色が見られる ・拡大すると黒い染みのような状態が見られる ・変色部からCuOのスペクトルが得られた ・変色の正体は銅表面に発生した銅の酸化物であると考えられる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉄の腐食過程は腐食の進み具合により種々の化合物が混在しており、同じ鉄の酸化物、水酸化物でも、価数や結晶構造の差異によってスペクトルが異なります。 ラマン分析により、ミクロンオーダーの微細な範囲での鉄の酸化状態が確認が可能です。 【分析内容】 ■鉄表面に発生した錆の分析 ・FeOOHとFe2O3が入り混じっている ・FeOOH、Fe3O4、Fe2O3が入り混じっている ■鉄錆び成分のラマンスペクトル ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当資料は、コーティング剤、複合膜構成素材、各種成形品等に使用される スーパーエンプラポリアミドイミド（PAI）膜の変色原因を機器分析、 および反応機構により解明した事例をご紹介します。 素材ポリアミドイミドをはじめ、IR装置による分析結果、データ解析、 および反応機構などを掲載。 製品の製造において、原料となる材料の保存安定性は必須であるが、 加工プロセスにおける環境条件が不具合を誘発させることがあります。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■素材ポリアミドイミドについて ■IR装置による分析結果 ■データ解析、および反応機構 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フレキシブル基板（FPC）のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
実装基板に反り、たわみ、捻じれ等の応力が加わると、 MLCC（積層セラミックチップコンデンサ）内部にクラックが 生じることがあります。 また、内部で発生したクラックは電極に隠れている場合が多く、 外観からではクラックを確認することが出来ない場合があります。 そんな時はX線で確認してみてはいかがでしょうか？ 【観察内容】 ■斜めCT観察 実装基板を破壊せず、そのままの状態でCTを行うことが可能 ■直交CT観察 部品の形状をそのままの状態で観察することが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉛フリー半田が普及する一方、Snメッキあるいは半田付け部から発生 する金属結晶のウィスカは電子部品の信頼性に大きな影響を与えます。 当社では、信頼性試験から解析まで一貫したウィスカ評価が可能です。 基板中のどの部品、どのピンにウィスカが発生しているか検査員が 逃さず観察します。 【特長】 ■信頼性試験後に実装基板の外観観察を行い、ウィスカ有無の判定 ■外観観察にてウィスカが検出されたらデジタルマイクロスコープで 観察・測長 ■より詳細に観察、分析を行いたい場合は、表面SEM/EDX分析を実行 ■必要に応じて、断面観察（SEM）や結晶方位解析（EBSD）などの観察、 解析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 『EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み』では、 ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線の オープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいた コントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗 不良箇所を検出することもできます。 【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ■重ね合わせ画像 ■吸収電流像（電流センス） ■吸収電流像（電圧センス） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 EELS分析とEDS分析は、TEM試料に加速した電子を照射することで 元素同定を行う分析手法です。 「異なるカーボン膜」の事例では、状態分析が特長である EELS分析手法を用いてナノ領域での膜質評価を行いました。 EDS分析ではスペクトルの比較からBottom膜のみN,Oを微量に検出。 EELS分析では2つのSpectrumのショルダー形状が違うことから 有機膜に配合されているN,OとCの結合状態を比較することが可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特長】 ■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能 ■他手法より短納期で対応 ■濃度は10E16まで検出可能 ■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD,AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT）,OLED 車載,モニター,モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM, TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では『表面実装電子部品の断面観察』を行っております。 機械研磨後の断面観察により、実装基板上の電子部品のはんだ接合状態 （クラックやボイド有無）、部品の内部構造を詳細に観察することが可能。 「SOP部品」では、断面全体像から半田接続部まで詳細な観察ができ、 「アルミ電解コンデンサ」では、電解コンデンサ部品の内部構造から 基板への接続状態まで観察可能です。 【特長】 ■SOP (Small Outline Package) 部品 ・SOP部品の断面全体像から半田接続部まで詳細な観察が可能 ■チップセラミックコンデンサ ・部品材クラックから、はんだ部のクラックまで詳細に観察可能 ■アルミ電解コンデンサ ・電解コンデンサ部品の内部構造から基板への接続状態まで観察可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では『実装部品・電子部品の断面研磨』を行っております。 様々な部品の観察に好適な断面試料をスピーディーにご提供するため、 1つ1つの部品を手作業で丁寧に、無駄のない工程で研磨加工しております。 ぜひ一度、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■様々な部品の観察に好適な断面試料をスピーディーにご提供 ■1つ1つの部品を手作業で丁寧に、無駄のない工程で研磨加工 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができ、対象の サイズや求める精度により、適した対物レンズを選択し、観察や測定を実施。 範囲はレンズに応じて異なりますが、連結機能を有しているため、広範囲での 観察、計測も可能です。 【特長】 ■平面計測、幅測定、高さ測定、膜厚測定等の各種、測定ができる ■対象のサイズや求める精度により、適した対物レンズを選択 ■連結機能を有しているため、広範囲での観察、計測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、形状測定レーザマイクロスコープ「VK-X200」を用いた 受託分析を行っております。 408nmレーザーを用いて観察、計測を実施。測定結果は国家基準につながる トレーザビリティ体系に基づいており、測定機器として非破壊測定に活用できます。 レーザー顕微鏡では、試料表面の凹凸形状の3D測定ができ、透明体の膜厚形状や 透明体越しの表面形状測定が可能です。 【特長】 ■試料表面の凹凸形状の3D測定が可能 ■透明体の膜厚形状や透明体越しの表面形状測定が可能 ■408nmレーザーを用いて観察、計測 ■測定結果は国家基準につながるトレーザビリティ体系に基づく ■測定機器として非破壊測定に活用できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CP法は、機械研磨法に比べ、研磨によるダメージがない状態で断面を 観察することが可能です。 当社の冷却機能付トリプルイオンミリング装置は、3方向から照射する イオンビームにより、高い加工精度と広い加工領域を実現。 熱に弱い材料の場合には冷却機能でダメージを軽減しながらの加工も可能です。 【特長】 ■加工幅約4mm/加工深さ約1mmと広範囲での加工が可能 ■硬軟材において平坦性が高く、物理的ダメージの無い断面の作製ができる ■位置精度が良い断面の作製が可能 ■冷却（クライオ）しながらの加工ができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 例えば、SEM中で試料を大きく傾斜し電子線を照射したとき、試料が結晶性 の物であれば、試料内で電子線回折が生じます。そのパターンを指数付け することでその点の結晶方位を求めることが可能となります。 結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ■結晶方位差を観察することで、結晶粒内の残留応力を推測可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SEM像、Phaseマップ、結晶粒ごとにHigh lightするCu6Sn5のIQマップ、 粒界の回転角をHigh lightするCu6Sn5のIQマップを用いて、 EBSD法による結晶を解析しました。 Cuパッド/はんだ界面にはCu6Sn5やAg4Sn等の化合物が成長しており、 ヒストグラムにより結晶サイズや結晶傾角の分布を示すことができます。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・SEM像 ・Phaseマップ ・Cu6Sn5のIQマップ(結晶粒ごとにHigh light) ・Cu6Sn5のIQマップ(粒界の回転角をHigh light) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉄板(Fe)について、EBSDによる解析例を紹介致します。 ヒストグラムのグラデーションと対応する結晶粒分布 map、 IPF map、結晶粒分布などを用いて、EBSDにて結晶構造を観察。 EBSD法により結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認でき、 マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPF map ・結晶粒分布 map ・結晶粒分布 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高融点はんだ(Snを少量含むPb基はんだ)について、EBSDによる 解析例を紹介致します。 EBSD法により結晶粒分布や、残留応力を推測することが可能。 また、結晶構造が異なる金属については同時に解析できるものがあり、 それぞれの金属で各データの取得ができます。 【特長】 ■結晶粒分布や、残留応力を推測できる ■結晶構造が異なる金属については同時に解析できるものがあり、 それぞれの金属で各データの取得が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
積層基板で形成されるビア(Cu)について、EBSDによる解析例を 紹介致します。 EBSD法により結晶サイズの分布や、残留応力を推測することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPFマップ ・GRODマップ ・結晶粒分布map ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
株式会社アイテスは、パイプのEBSDによる解析を実施しています。 EBSD法により結晶サイズの分布を確認することや、配向性を 確認することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた 特長を可視化できます。 【概要】 ■結晶サイズの分布、配向性を確認 ■グラフに現れた特長を可視化できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EBSD法により結晶サイズの分布や、結晶方位の配向性を確認する ことができます。 今回はネジの谷部分の方位差が大きいことがわかり、残留応力が 大きいことが推測されます。 また、ネジ表面には粒径の小さい結晶粒が分布している様子も 観察されました。 【概要】 ■解析方法 ・EBSDにて結晶構造を観察 ■結果 ・ネジの谷部分の方位差が大きいことがわかった ・残留応力が大きいと推測 ・ネジ表面には粒径の小さい結晶粒が分布している様子も観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。 パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封し、EBSDによるチップ表面の Alパターンの解析を実施。 その結果、Al配線に配向性が見られました。 法線方位が分布しており、結晶が多く存在していると考えられます。 【概要】 ■解析方法 ・パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封 ・EBSDによるチップ表面のAlパターンの解析を実施 ■結果 ・Al配線に配向性が見られた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
