DLC成膜(膜質:ta-C領域, 表面粗度Ra0.16nm, 透過率：88％)を 従来では課題の多かったスパッタで実現
RAM CATHODE（4面対向式カソード）により、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 ４面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。 拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、 互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、 DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。 その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【特徴】 ・DLC形成：イオン化率が従来のスパッタリング手法による形成時より高い ●4面対向ターゲットで拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxが 互いに衝突を繰り返すことでArイオン化及びCfluxのイオン化が促進される。 C＋はイオン衝突により高エネルギーでイオン化が促進するためDLC膜において C-C結合が容易に形成することが可能。 ●「透過率」「硬度」「表面の粗さ」が向上。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途例】 スマートフォンのカバーガラス 食品フィルム 医療布・ポリマー シリンジ・薬液容器 人工関節 赤外カメラ・赤外センサー Etc.
企業情報
京浜ラムテックは1972年に創業し、 液晶・半導体製造装置業界・自動車業界でも信頼されるメーカーとなりました。 弊社では、継続的な技術開発は、全社員の任務と考えております。 京浜ラムテックの持つ独自技術は、あらゆる産業の中核技術として利用されております。 今後更なる発展が期待される独創的な技術を開発・提案し続けるProposerとして お客様の更なる発展に貢献致します。
