半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ銀粉ができあがるのです。”TOSFINE”は表面の高い平滑性により乾燥条件下での高導電性、高鏡面性を有しています。 【特徴】  単結晶フレークによる高い導電性、放熱性を実現します。  低温条件下（120～200℃）でのシンタリング特性を有します。  高い表面平滑性により、乾燥条件下でも高い導電性を実現します。  独自の製造方法による均一な粒度分布を有します。  お客様のご用途に合わせ、粒子サイズ、表面処理をご提案いたします。

半導体、通信機器、家電分野において部品の微細化が進んできており、 ばねの小型化、高機能化、高精度化が求められています。 当社では、高強度、超精密、高機能をキーワードに極細ばね用の ワイヤを開発し、提供しています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高強度：4800MPaの強度を実現（トスミクロンU種） ■超精密 ・丸線：φ0.009mmの細さを実現（トスミクロンNANO） ・角線：0.10×0.10mmの細さを実現 ・平線：0.005mmの厚みを実現 ■高機能：Niメッキなどの表面処理を施し、高機能化を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『KM120』についてご紹介いたします。 粒子形状は多面体で、比表面積は1.5～2.5m2/g、タップ密度は3.0～4.5g/cm3。 世界最高レベルの低温焼結性を実現しました。 また、表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、 オレイン酸による表面コートを施しています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：多面体 ■粒子サイズ（μm）：0.15～0.3 ■比表面積（m2/g）：1.5～2.5 ■タップ密度（g/cm3）：3.0～4.5 ■TG＜N2＞（％）：0.1～0.3 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『LM1』についてご紹介いたします。 表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸 による表面コート。 粒子サイズは0.7～1.3μm、厚みは≦100nmでタップ密度は2.0～4.0g/cm3です。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状＋多面体 ■粒子サイズ（μm）：0.7～1.3 ■厚み（nm）：≦100 ■比表面積（m2/g）：0.5～1.5 ■タップ密度（g/cm3）：2.0～4.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『LS0305』についてご紹介いたします。 粒子形状は多面体、粒子サイズは0.15～0.4μm、比表面積は1.2～2.2m2/g。 複数の溶媒分散を対応可能としました。 出荷形態は溶媒分散で、分散可能溶媒は水、EtOH、DPM、C、CA、BC、TPM、 BCAとなっています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：多面体 ■粒子サイズ（μm）：0.15～0.4 ■比表面積（m2/g）：1.2～2.2 ■タップ密度（g/cm3）：4.5～6.5 ■TG＜N2＞（％）：0.1～0.35 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M13』についてご紹介いたします。 出荷形態は紛体。分散可能溶媒は水をはじめ、EtOH、DPM、C、EG、CA、TP、 BC、TPM、BCAです。 特性として、粒子サイズは1.0～3.0μmで、厚みは40～60nmとなっております。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：1.0～3.0 ■厚み（nm）：40～60 ■比表面積（m2/g）：0.6～1.6 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M27』についてご紹介いたします。 粒子形状はフレーク形状、粒子サイズは2.0～7.0μmで、厚みは60～100nm。 比表面積は0.5～1.5m2/g、タップ密度は1.5～3.0g/cm3です。 また、電気比抵抗は3.8μΩ・cm（シンタリング後）となっています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：2.0～7.0 ■厚み（nm）：60～100 ■比表面積（m2/g）：0.5～1.5 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『M612』についてご紹介いたします。 粒子形状はフレーク形状、粒子サイズは6.0～12.0μmとなっており、 厚みは60～100nm。 表面処理はヘキサン酸、ラウリン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸 による表面コートです。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：6.0～12.0 ■厚み（nm）：60～100 ■比表面積（m2/g）：0.5～1.5 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている銀ナノ粒子『N300』についてご紹介いたします。 タップ密度は1.5～3.0g/cm3で、比表面積は1.9～2.9m2/g、厚みは≦50nm。 出荷形態は紛体です。 また、粒子形状はフレーク形状で、粒子サイズは0.3～0.5μmとなっています。 【特性（一部）】 ■粒子形状：フレーク形状 ■粒子サイズ（μm）：0.3～0.5 ■厚み（nm）：≦50 ■比表面積（m2/g）：1.9～2.9 ■タップ密度（g/cm3）：1.5～3.0 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

半導体、回路基板の設計者のみなさん！製品の導電性を上げたい、シンタリング温度を低くしたいとお考えではありませんか？今後ますます高性能化が要求される半導体、回路基板において脅威の性能を発揮する銀ナノ粒子があります。トクセン工業がお届けする”TOSFINE”です。 ”TOSFINE”は当社独自の粒子製造技術により個々の粒子がフレーク状に加工され、フレークのハンドリング性とナノ粒子の特性を併せ持つ銀粉ができあがるのです。”TOSFINE”は表面の高い平滑性により乾燥条件下での高導電性、高鏡面性を有しています。 【特徴】  単結晶フレークによる高い導電性、放熱性を実現します。  低温条件下（120～200℃）でのシンタリング特性を有します。  高い表面平滑性により、乾燥条件下でも高い導電性を実現します。  独自の製造方法による均一な粒度分布を有します。  お客様のご用途に合わせ、粒子サイズ、表面処理をご提案いたします。