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SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です！
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
微細なクラックが見やすい！導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます
『卓上型SEM(電子顕微鏡)によるクラック観察』についてご紹介です。 製品の信頼性評価において、クラックの断面観察は欠かせません。 光学顕微鏡観察では見落とす可能性がある微小なクラックもSEM観察では 明確に確認することが可能です。 しかも卓上SEMなら、導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます。 【特長】 ■蒸着不要 ■簡易的に結晶粒が見える ■微細なクラックが見えやすい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
チップ抵抗器の断面観察と銅配線部の断面観察等に好適な観察方法をご紹介します！
観察装置選択のご参考となるよう、金属顕微鏡・W-SEM・FE-SEMの 見え方の違いをご紹介します。 チップ抵抗器の断面観察の際は、金属顕微鏡だと低倍率で 観察しづらい部位がありますが、SEM観察なら焦点深度が 深いため低倍率でも平坦度の高い画像が得られます。 銅配線部の断面観察の際は、W-SEMでも銅-樹脂界面や クラック内部の状態が観察可能ですが、FE-SEMなら 結晶粒や接続界面の微小ボイドまで鮮明に観察可能です。 【比較】 ■チップ抵抗器の断面観察 金属顕微鏡vs W-SEM 観察像の比較 ■銅配線部の断面観察 W-SEM vs FE-SEM 観察像の比較 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
