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TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化
当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
PLによる欠陥箇所特定・全体像把握から、TEMによる欠陥部の詳細な観察が可能！
「SiCにおけるPL発光箇所のTEM観察」についてご紹介いたします。 SiC基板中に存在する基底面転位(BPD)は、順バイアス時に欠陥を拡大させ、 デバイス特性を劣化させることで知られています。今回、微小なBPDを PL(フォトルミネッセンス)にて特定し、発光部をTEMにて観察しました。 PLによる欠陥箇所特定・全体像把握から、TEMによる欠陥部の詳細な観察が 可能です。詳細は、資料よりご確認いただけますので、ぜひご覧ください。 【装置概要(一部)】 ■PL(フォトルミネッセンス) ■使用装置：自社製PLイメージング装置 ■励起光：超高圧水銀ランプ UV光源(285～350nm) ■捉えたい欠陥の種類によって観察波長を選択できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
