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フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ フラッシュメモリ 32Mbit SPI ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型で軽量、雷の侵入を“見える化”へ
接地線などに侵入したサージ電流レベルとその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 サージ電流レベル（100A~，1000A~） とその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 SPD、避雷器（アレスタ、サージプロテクタなど）、雷対策製品、雷サージ対策製品、誘導雷対策、雷対策専門メーカーの音羽電機工業製。
【評価機の貸出しアリ】パスワード認証よりも安全な指紋認証USBメモリ
パスワード認証USBメモリでは『なりすまし』対策はできません！ 過去にパスワード認証USBメモリとパスワードを記録した ポストイットや手帳と同時に紛失してしまった情報漏洩事故が 実際に発生しています。 指紋認証ＵＳＢメモリBiocryptodisk-ISPXは ●パスワードよりも安全な情報漏えい対策が可能 ●認証速度0.6秒 ※詳細はカタログをダウンロードして下さい。 ※評価機の貸出しをご希望の方は下記「お問合せ」よりお申込下さい。
MLCをSLCとして使えるpSLCを全メモリ製品に採用することで、高性能安価を実現！
当社は、UDinfoブランドのSSD、CF、ATAカード、SDはじめ、IDE module SATA moduleなど組み込み用、産業用、工業用フラッシュメモリーを多数 取り揃えております。 品質を第一に過酷な温度環境に対応した製品を少量ロットから、大ロットまで 短納期で対応できるよう、台湾にて生産体制をとっています。 また、当社ブランド品の供給、および御社ブランドにも対応できます。 ご用命の際は、お問い合わせください。 【特長】 ■インターフェース：PCMCIA、CF、IDE、SATA、USB、SD ■幅広い使用温度範囲：－40℃～85℃ ■搭載できるNANDメモリの型式：SLC MLC Pseudo SLC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1 048 576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主に補助記憶装置として使用！高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及
『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及しています。 コンピュータのモニタやプリンタ、自動車やスマートカードなど、 設定情報を記憶する必要がある様々なデバイスに使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■不揮発性メモリ(NVRAM) STMicroelectronics ■不揮発性メモリ(NVRAM) Maxim Integrated ■不揮発性メモリ(NVRAM) Greenwich Instruments ■不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
世界各国の宇宙プロジェクトで採用多数！
独自のスタック（積層）技術により高密度、高速、省スペースを実現した宇宙向けメモリーをご提案いたします。
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
信頼と実績 ～高品質・高信頼性のメモリ～
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能のメモリLSIを、永年にわたって提供しています。近年の小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、メモリを組み合わせた最適なソリューションも提案しています。
USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置！多数メーカー/ブランドをご用意
当社で取り扱う、「USBメモリ」をご紹介します。 USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置。 当社では、VerbatimやTranscend、iStorageなどの メーカー/ブランドを取り扱っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【ラインアップ(一部)】 ■Verbatim USBメモリ 128 GB USB 3.2 49319 ■Transcend USBメモリ 1 GB USB 2.0 TS1GJF170 ■Verbatim USBメモリ 64 GB USB 3.0 49318 ■Verbatim USBメモリ 32 GB USB 3.0 49317 ■Verbatim USBメモリ 32 GB USB 2.0 49064 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析することが可能
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『情報メモリーVAM32』を取り扱っております。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
専用の読出器が不要で、パソコンなどを使用して容易に解析できます
『情報メモリーVAM32II』は、 リレー式踏切設備の動作状態を 記憶・読出・データ解析することができる装置です。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示。 時刻補正用GPS内蔵タイプと非内蔵タイプの2種類
『情報メモリーVAM32III』は、リレー式踏切設備の動作状態を 最大32接点分記憶(読出・データ解析)することができる装置です。 USBメモリーで簡単に読み出せて、PCでの解析が容易。 GPS内蔵タイプは、 時刻補正出力を有しています。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■記憶容量を120 000変化まで増量 ■USB伝送またはRS-232Cで読出が可能 ■自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示 ■表示部で機器ナンバー等が確認可能 ■オプションのモバイルプリンタを使用し、現場で印刷可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
