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チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます
『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EPROMデバイスのメモリを消去できます。 【ラインアップ(一部)】 ■EPROM Microchip ・メーカー型番：AT27C020-55JU ・メーカー型番：AT27C256R-70PU ・メーカー型番：AT27C040-70JU ・メーカー型番：AT27C4096-90JU ・メーカー型番：AT27C040-90JU ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置！多数メーカー/ブランドをご用意
当社で取り扱う、「USBメモリ」をご紹介します。 USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置。 当社では、VerbatimやTranscend、iStorageなどの メーカー/ブランドを取り扱っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【ラインアップ(一部)】 ■Verbatim USBメモリ 128 GB, USB 3.2, 49319 ■Transcend USBメモリ 1 GB, USB 2.0, TS1GJF170 ■Verbatim USBメモリ 64 GB, USB 3.0, 49318 ■Verbatim USBメモリ 32 GB, USB 3.0, 49317 ■Verbatim USBメモリ 32 GB, USB 2.0, 49064 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型で軽量、雷の侵入を“見える化”へ
接地線などに侵入したサージ電流レベルとその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 サージ電流レベル（100A~，1000A~） とその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 SPD、避雷器（アレスタ、サージプロテクタなど）、雷対策製品、雷サージ対策製品、誘導雷対策、雷対策専門メーカーの音羽電機工業製。
【評価機の貸出しアリ】パスワード認証よりも安全な指紋認証USBメモリ
パスワード認証USBメモリでは『なりすまし』対策はできません！ 過去にパスワード認証USBメモリとパスワードを記録した ポストイットや手帳と同時に紛失してしまった情報漏洩事故が 実際に発生しています。 指紋認証ＵＳＢメモリBiocryptodisk-ISPXは ●パスワードよりも安全な情報漏えい対策が可能 ●認証速度0.6秒 ※詳細はカタログをダウンロードして下さい。 ※評価機の貸出しをご希望の方は下記「お問合せ」よりお申込下さい。
安価で高品質なメモリソリューションをお求めの方はぜひLongsysを！ TLC、MLC、SLC等のラインナップ在り◎
深圳市江波龍電子有限公司（Longsys）は1999年に創業した、NAND Flashフラッシュメモリアプリケーションとメモリチップのカスタマイズ、 ストレージソフトウェア・ハードウェア開発に焦点をあてたストレージ関連企業です。 主にモバイルストレージ、組み込み型ストレージ、SSD、ワイヤレスストレージ、マイクロメモリ等 ストレージアプリケーションプランの設計と革新型技術製品の開発及びグローバル市場での販売を行っており、 フラッシュメモリチップの年間⽣産量は2億個を超えています。 本社は深圳にあり、北京、上海、香港、台北、米国等に支社や事務所を設けており、世界中に販売ネットワークが広がっています。 また多くの世界の有名ウエハファブ、パッケージング・テスト企業等とアライアンスによるパートナーシップを結び、 世界のユーザーに高品質のメモリイノベーティブ製品とソリューションを提供しています。 民生用・工業用共に取り扱っております。 安価で高品質な製品をお求めの方はぜひ一度お問い合わせ下さい。
台湾のDRAM専業メーカー ＊DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDRAM、モバイル SDRAMで128MB～8GB
ProMOSは1996年に台湾で設立され、メモリ製品とソリューションの設計、開発、製造、販売を行っています。 DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDRAM、モバイル SDRAMなど 128MB SDRAM から8GB DDR4まで幅広く取り揃えています。 一般温度から、工業用、車載用、ミリタリースペックまで 幅広い温度範囲の製品を持っています。 産業用用途をメインとしており、チップのシュリンクや供給機関も 競合他社と比較して長くなっています。 カーナビや監視カメラ、PC、プリンター、スキャナーなど様々なアプリケーションでご利用いただけます。 クロスリファレンスを用意しておりますので、他社製品をお使いのお客様もお気軽にお問い合わせ下さい。
タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正ができます
当社では、リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能な 時計補正対応形の『情報メモリー(VAM)記憶部』を取り扱っております。 電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間までバック アップ。F形リレー形状なので省スペースで設置が容易です。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析することが可能
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『情報メモリーVAM32』を取り扱っております。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
専用の読出器が不要で、パソコンなどを使用して容易に解析できます
『情報メモリーVAM32II』は、 リレー式踏切設備の動作状態を 記憶・読出・データ解析することができる装置です。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示。 時刻補正用GPS内蔵タイプと非内蔵タイプの2種類
『情報メモリーVAM32III』は、リレー式踏切設備の動作状態を 最大32接点分記憶(読出・データ解析)することができる装置です。 USBメモリーで簡単に読み出せて、PCでの解析が容易。 GPS内蔵タイプは、 時刻補正出力を有しています。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■記憶容量を120,000変化まで増量 ■USB伝送またはRS-232Cで読出が可能 ■自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示 ■表示部で機器ナンバー等が確認可能 ■オプションのモバイルプリンタを使用し、現場で印刷可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ
「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CPUとメインメモリの間の待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上します
『DRAM』は、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで 情報を保持します。 RAMは種類によってCPUのクロックとメモリアクセスが非同期ですが、 SDRAMメモリは、同期している為、CPUとメインメモリの間の 待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上。 複数の動作段階を並行に行うパイプライン処理が可能となり、前の命令による メモリ素子への読み書きを行っている間に、新たな命令を受け付けることが できます。そのため、SDRAMは非同期DRAMよりもより高速に動作できます。 【ラインアップ(一部)】 ■SDRAM Micron 256MB SDR ■SDRAM Micron 128MB SDR ■DDR SDRAMメモリ Micron 512MB DDR ■SDRAM ISSI 128Mbit ■SDRAM ISSI 256Mbit ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主に補助記憶装置として使用！高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及
『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及しています。 コンピュータのモニタやプリンタ、自動車やスマートカードなど、 設定情報を記憶する必要がある様々なデバイスに使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■不揮発性メモリ(NVRAM) STMicroelectronics ■不揮発性メモリ(NVRAM) Maxim Integrated ■不揮発性メモリ(NVRAM) Greenwich Instruments ■不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回数、低消費電力など
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
データを一時的に保存したり取得する！コンピュータの短期メモリ
「RAM(ランダムアクセスメモリ)」は、コンピュータのメモリ又は ストレージの一種です。 ラップトップやコンピュータが現在使用しているすべてのデータを 保存しているため、遅延なくプログラムにアクセスしマルチタスク をこなすことが可能。 一般的に4GB、8GB、16GB、32GBのオプションで入手できます。 【ラインアップ(一部)】 ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Crucial 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 4GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 2GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) InnoDisk 1GB ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
世界各国の宇宙プロジェクトで採用多数！
独自のスタック（積層）技術により高密度、高速、省スペースを実現した宇宙向けメモリーをご提案いたします。
古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
コントローラは1.8Vまたは3Vのデュアル電源電圧で駆動可能！
当社で取り扱う「32GB、64GB、128GB の産業グレード eMMC」を ご紹介いたします。 民生用、産業用、ネットワーキングアプリケーションのソリッドステート ストレージ向けに、このデバイスは、信頼性の高いTLC NANDフラッシュメモリと eMMCコントローラおよびフラッシュトランジションレイヤー(FTL)管理 ソフトウェアを単一の11.5mmx13mm153ボールFBGAパッケージに統合しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高信頼性TLC NANDフラッシュテクノロジーを搭載 ■eMMC v4.5およびv5.0との下位互換性 ■-40°C～＋85°Cの工業用温度範囲で動作 ■x1、x4、x8のプログラム可能なバス幅を提供 ■内部LDOを備えたNANDメモリは3Vの単一電源電圧で駆動可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上！
当社で取り扱う「4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を ご紹介いたします。 「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100,000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による 信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
中国メジャーテレビブランドKONKAグループ傘下のメモリ専業会社
1980年設立の中国の大手電子機器メーカーKonkaの子会社。2019年に設立され、組み込みストレージ、モバイルストレージ、メモリモジュール、ソリッドステートドライブ（SSD）の研究、設計、販売を専門とする企業です。
入力条件数は32条件、100,000変化分のデータを保存することができます
『情報メモリVAM32』は、リレー接点入力により踏切設備の動作を 記憶する装置です。 LAN通信により、遠隔で記憶データを取得することが可能。外線入力 コネクタは従来の「VAM32」から変更ありませんので、置き換えて 使用することができます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■LAN通信により、遠隔で記憶データを取得可能 ■入力条件数は32条件、100,000変化分のデータを保存可能 ■既存の「VAM32」解析ソフトを使用して現場で直接解析可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電流クランプセンサによりリレー動作の条件を読み取りますので、設置が容易
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『非接触形踏切メモリー』を取り扱っております。 電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップします。(常温で完全充電時) 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■電流クランプセンサによりリレー動作の条件を読み取るため設置が容易 ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ■タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
信頼と実績 ～高品質・高信頼性のメモリ～
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能のメモリLSIを、永年にわたって提供しています。近年の小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、メモリを組み合わせた最適なソリューションも提案しています。
電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリ！FeRAMの基礎編をご紹介
『FeRAM』は、半導体メモリのひとつで、強誘電体メモリとも呼ばれ、 電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。 当資料では「FeRAMの基礎編」についてご紹介しております。 "FeRAMの概要"をはじめ、"FeRAMの商談事例"や"FeRAMの実績"、 "FeRAMの特長"や"課題と解決策"を掲載。 役に立つ一冊となっております。是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■FeRAMの概要 ■FeRAMの商談事例 ■FeRAMの実績 ■FeRAMの特長 ■課題と解決策 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
車載グレード『高品質規格AEC-Q100グレード1』を満たすための高信頼性評価をクリアしたFeRAM
当社は、高温環境で動作を保証するメモリが欲しいという、車載/産業分野のお客様の要望に応え、 2016年から車載対応FeRAM製品を開発し、提供しています。 これらの製品は、従来の製品の動作温度を125℃に拡張しただけではなく、内部回路の設計から 改めて見直すことで信頼性を向上させています。さらに、AEC-Q100の信頼性試験規格に準拠し、 PPAPに対応しています。 また、産業機械などモーター機構を搭載するアプリケーションでは、モーターによる発熱によって 高温になるため、高温環境下においても動作を保証できる電子部品が必要とされています。 当社は、これらの市場のニーズに対して、高信頼性・高性能の125℃動作が可能なFeRAMを提供しています。 【125℃動作のFeRAMの特長】 ■車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリア ■SPIインターフェース ■メモリ容量：64Kビット～4Mビットまで ※製品一覧の詳細は、下記のサイトをご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ
