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車載向け・産業向け（工場系）・インフラ向けなどの商談事例をご紹介！
『FeRAMの商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMをご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CPUとメインメモリの間の待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上します
『DRAM』は、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで 情報を保持します。 RAMは種類によってCPUのクロックとメモリアクセスが非同期ですが、 SDRAMメモリは、同期している為、CPUとメインメモリの間の 待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上。 複数の動作段階を並行に行うパイプライン処理が可能となり、前の命令による メモリ素子への読み書きを行っている間に、新たな命令を受け付けることが できます。そのため、SDRAMは非同期DRAMよりもより高速に動作できます。 【ラインアップ(一部)】 ■SDRAM Micron 256MB SDR ■SDRAM Micron 128MB SDR ■DDR SDRAMメモリ Micron 512MB DDR ■SDRAM ISSI 128Mbit ■SDRAM ISSI 256Mbit ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主に補助記憶装置として使用！高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及
『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及しています。 コンピュータのモニタやプリンタ、自動車やスマートカードなど、 設定情報を記憶する必要がある様々なデバイスに使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■不揮発性メモリ(NVRAM) STMicroelectronics ■不揮発性メモリ(NVRAM) Maxim Integrated ■不揮発性メモリ(NVRAM) Greenwich Instruments ■不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回数、低消費電力など
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
データを一時的に保存したり取得する！コンピュータの短期メモリ
「RAM(ランダムアクセスメモリ)」は、コンピュータのメモリ又は ストレージの一種です。 ラップトップやコンピュータが現在使用しているすべてのデータを 保存しているため、遅延なくプログラムにアクセスしマルチタスク をこなすことが可能。 一般的に4GB、8GB、16GB、32GBのオプションで入手できます。 【ラインアップ(一部)】 ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Crucial 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 4GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 2GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) InnoDisk 1GB ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
世界各国の宇宙プロジェクトで採用多数！
独自のスタック（積層）技術により高密度、高速、省スペースを実現した宇宙向けメモリーをご提案いたします。
古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
コントローラは1.8Vまたは3Vのデュアル電源電圧で駆動可能！
当社で取り扱う「32GB、64GB、128GB の産業グレード eMMC」を ご紹介いたします。 民生用、産業用、ネットワーキングアプリケーションのソリッドステート ストレージ向けに、このデバイスは、信頼性の高いTLC NANDフラッシュメモリと eMMCコントローラおよびフラッシュトランジションレイヤー(FTL)管理 ソフトウェアを単一の11.5mmx13mm153ボールFBGAパッケージに統合しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高信頼性TLC NANDフラッシュテクノロジーを搭載 ■eMMC v4.5およびv5.0との下位互換性 ■-40°C～＋85°Cの工業用温度範囲で動作 ■x1、x4、x8のプログラム可能なバス幅を提供 ■内部LDOを備えたNANDメモリは3Vの単一電源電圧で駆動可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上！
当社で取り扱う「4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を ご紹介いたします。 「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100,000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による 信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
中国メジャーテレビブランドKONKAグループ傘下のメモリ専業会社
1980年設立の中国の大手電子機器メーカーKonkaの子会社。2019年に設立され、組み込みストレージ、モバイルストレージ、メモリモジュール、ソリッドステートドライブ（SSD）の研究、設計、販売を専門とする企業です。
入力条件数は32条件、100,000変化分のデータを保存することができます
『情報メモリVAM32』は、リレー接点入力により踏切設備の動作を 記憶する装置です。 LAN通信により、遠隔で記憶データを取得することが可能。外線入力 コネクタは従来の「VAM32」から変更ありませんので、置き換えて 使用することができます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■LAN通信により、遠隔で記憶データを取得可能 ■入力条件数は32条件、100,000変化分のデータを保存可能 ■既存の「VAM32」解析ソフトを使用して現場で直接解析可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電流クランプセンサによりリレー動作の条件を読み取りますので、設置が容易
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『非接触形踏切メモリー』を取り扱っております。 電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップします。(常温で完全充電時) 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■電流クランプセンサによりリレー動作の条件を読み取るため設置が容易 ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ■タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
