SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
当社は、受託分析サービスを展開している会社です。 2002年8月の創立以来、信頼性のある分析・解析技術と最新鋭の設備を駆使し、 半導体・液晶・金属・新素材を中核とした幅広いマーケットに最適な ナノレベルの微細加工、分析、解析、信頼性評価、環境安全化学分析、 サービス・ソリューションを提供しております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
