Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。

POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。 高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。 是非、ダウンロードして頂き、新規、代替品検討、EOL対策や、セカンドソース準備、納期対策などにご活用ください。 クロスリファレンスへ掲載している製品以外にも下記の製品を取り揃えております。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 ＊クロスリファレンスは、下記「PDFダウンロード」よりご確認いただけます。 ＊サンプルをご希望の際は、お問合せ下さい。

Bourns社では新たに表面実装タイプDNFパッケージのPTVSをリリースしました。 落雷や、PoE 、BBU 、RRU 、および高出力 DC 電源 などの アプリケーションの誘導雷 サージ 対策を提供するよう設計されています。 業界初のコンパクト DFN パッケージ (8mm x 6mm x 2.5mm) を採用し 、保護レベルを損なうことなく、実装スペースを大幅に 削減 できます。 ■特徴 耐サージ電流12kA、8/20 μs のサージ能力（PTVS2） 耐サージ電流 1 kA、8/20 μs のサージ能力（PTVS1） 繰り返しスタンドオフ電圧: 22V ～ 86V 双方向 TVS サージ下での低クランプ電圧 全温度範囲での優れた性能 表面実装 (8 mm x 6 mm x 2.5 mm) RoHS適合、ハロゲンフリー サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

【optosupply】は2001年に設立された香港のLEDメーカーです。 コストダウンや短納期相談も可能なので、是非、資料をダウンロードして頂き、 新規、代替品検討、納期対策などにご活用ください。 ＜砲弾型-タワータイプ　OSXXXX7311Fシリーズ＞ ・高輝度かつ小型LED ・1.8mmのタワー型標準指向角 ・耐紫外線エポキシ ・動作電流：1-20mA ・ウォータークリアタイプ ・型番＆色 OSR5PA7311F レッド　 OSO5PA7311F オレンジ OSY5PA7311F イェロー OSB5DA7311F ブルー　 OSG58A7311F ピュアグリーン OSW54K7311F ホワイト OSM54K7311F ウォームホワイト 【ほかに、チップ型、7セグを豊富なラインナップで国内メーカー生産中止品との同等品も多数取り揃えています】 ＊詳細は、下記「PDFダウンロード」よりご確認いただけます。 ＊サンプルをご希望の際は、お問合せ下さい。

Bourns独自の高度なコンピューターシミュレーション技術を駆使して開発された、業界最高レベルの最大インパルス電圧に対応した製品です。 14kAの電流耐量・高速応答性・幅広い温度範囲で過電圧から回路を保護します。 φ5ｍｍ×7.2mmの小型サイズに独自のコプラナリティフィット（平坦性）を備えスペースの削減と確実な実装を実現。 75V、90V、350V、600Vと4種類をラインアップ。 GDT35シリーズはBourns 2036-SM GDTシリーズと置き換えが可能。 【仕様】 寸法（直径×高さ mm） ：5×7.2 使用温度範囲　　　　　：-55℃～＋125℃ 静電容量　　　　　　　：0.7pF 直流破壊電圧範囲 V　 ：75-600 公称 8/20μs インパルス ：14kA@8/20us 最大 8x20µs インパルス　：20kA@8/20us 見積り、サンプル依頼はBourns 正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

Bourns は、信頼性の高い AEC-Q200 準拠の電子コンポーネントの設計、構築、供給において豊富な経験を持っています。 Bourns は、電圧変換時のコア損失を低減するためのさまざまなパワー インダクタを提供しています。 さらに、一般的な自動車用途で承認されている Bourns 標準電子部品は、IATF 16949 に完全に認定された施設で製造されており、 受動部品の AEC-Q 製品検証標準を使用してテストおよび認定されており、お客様に提供されています。 PPAPを使用した選択と承認。 Bourns車載グレードのパワー インダクタは、AEC-Q200 に準拠するように設計および開発されています。 当社の新製品および新プロセスの開発は、最新の AIAG 改訂版の高度な製品品質計画 (APQP) プロセスで確立された要件を満たすか、それを上回っています。 Bourns には、多くの自動車アプリケーションの基板レベルの要件を満たす高品質のパワー インダクタを自動車市場に提供してきた長い歴史があります。