キーストンインターナショナルの製品・サービス一覧

Alpes Lasers社は旧製品であるEC用室温パルスブロードゲインレーザーを改良し、新たに中赤外線光源「GLIDER」の取り扱いを開始致しました。 GLIDERは広範囲な調整が可能であり、外部共振器型設計に基づいた本製品は、組み立てや外部ドライバを必要としないモノリシックなオールインワン光源です。出力は単一光ビームで、その波長は最大約2200cm⁻¹の範囲でご選択いただけます。 GLIDERは広範囲のスペクトル調整が可能なシングルモード動作用に設計されており、単一または複数の量子カスケードレーザー(QCL)ゲイン(利得)チップ、リトロー配置の格子調整された拡張光キャビティ、ドライバ、および制御ソフトウェアで構成されています。システムは組み立てられた状態で密閉ハウジングされいますので、調整はご不要です。 GLIDERは、単一モジュール構成またはマルチモジュール構成でご利用いただけます。マルチモジュール構成では、最大4つの異なるモジュールを収容して、より広い範囲をカバーできます。システムには、全ての機能にアクセスできるWebベースのグラフィカル ユーザーインターフェース用のコントローラが付属しています。

• その他

nanoplus社はDFBレーザーやFPレーザーを中心に20年以上の製造を行っており、特許を取得した独自の製造技術を取り入れた、産業や工業、研究などにおける高精度ガスセンシング用に特化した設計をしております。 上記製品に加え、近年スーパールミネッセントダイオード(SLD)製品の設計・製造にも力を入れており、nanoplus社では760～2900nmの波長帯でご案内が可能です。 SLDの大きな特徴は、レーザーダイオードが持つ高い空間コヒーレンスや高輝度といった特性と、LEDに固有の非常に広いスペクトル特性を兼ね備えている点にあります。その出力光は、特殊な手法によってレーザー発振が抑制されたレーザーダイオードのエピタキシャル構造から得られる、増幅自然放出光(ASE)です。 SLDは光干渉断層撮影(OCT)、低コヒーレンス干渉法、ファイバブラッググレーティング(FBG)センシングなど、多くの革新的な技術において最適な光源として採用されています

• その他

nanoplus社はDFBレーザーやFPレーザーを中心に20年以上の製造を行っており、特許を取得した独自の製造技術を取り入れた、産業や工業、研究などにおける高精度ガスセンシング用に特化した設計をしております。 この技術が中赤外LEDにも取り入れられており、世界中の様々な設備や装置で当社の製品が選ばれています。 当社のLED製品はセラミックサブマウント状の基板発光デバイスとSMDタイプの2種類があり、室温で動作する旧LED製品よりも高い電力交換率と1mWを超える最大出力を発揮します。 環境や健康面、セキュリティアプリケーションなどにおける特定の分野での永続的な分析に対する需要の高まりにより、安価で電力効率の高い光源が必要になっています。naoplus社はDFB技術と半導体の専門知識を使用して、中赤外領域で費用対効果が高く高効率のブロードバンド光源を製造しました。 nanoplus 中赤外LEDは、室温でCWで動作する旧製品よりも高いウォールプラグ効率と最大出力を発揮します。低消費電力のnanoplus社製中赤外線LEDは、ガス検知器に最適な光源です。

• その他

Teledyne Judson社のInSbディテクタは5.5μm付近の長波長をカットオフとする高性能InSb(アンチモン化インジウム)ディテクタで、適切な温度で動作させることで感度や応答速度、インピーダンス、ピーク波長が最適化されています。これらの検出器は、1.0～5.5μmの波長範囲で高い信頼性と性能を発揮します。 製品は極低温冷却型(Cryocooled)と液体窒素冷却型(LN2, デュワー仕様)の2つあり、LN2では熱バックグラウンドを最小限に抑えるために必要な低温を維持することで、最適な性能を保証致します。また、極低温冷却(Cryocooled)パッケージでは、冷媒なしで動作させることも可能です。

• 計測・分析装置

nanoplus社のDFBレーザーは、産業および研究における高精度ガスセンシング用の半導体光源を設計します。当社のデバイスは、調整可能なTDLASを使用して、選択性と感度が高い、そして堅牢な測定を容易にします。 波長は760～14,000nmまで対応しており、製品はnanoplus社の卓越した技術により、±0.1nmの精度で製造されます。 過酷な環境であっても、微量ガスをその場でリアルタイムに最大ppbの精度で測定します。 世界中で30,000を超える導入実績が、nanoplus社製レーザーの信頼性を証明しています。 nanoplus社は分子線エピタキシー(MBE: Molecular Beam Epitxy)を導入しています。 これにより、各セルのシャッターにより、成長方向や組成分布の厳密なコントロールが可能になりました。 ※MBEは超真空下で電子線により、各原料を加熱し、発生した分子線を基板に到達させて結晶成長（エピタキシャル成長）を行う方法です。界面の組成が原子レベルで急峻な組成を作製することができます。超格子構造やヘテロ構造などの作製でも多く用いられています。

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