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三菱マテリアル株式会社は、高平坦度かつ低表面粗さを実現した世界最大級の四角形状のシリコン基板「角型シリコン基板」を開発しました。 近年注目を集めているチップレット技術を採用した次世代半導体パッケージは、100mm角程度まで大型化が進んでいます。半導体パッケージの製造工程において、半導体チップを配置するキャリア基板に従来のφ300mmシリコンウェーハなどを利用するWLP(Wafer-Level-Packageでは、ウェーハの面積が小さく円形状であるため、効率よくパッケージをウェーハ基板に収められないことが課題となっています。 この課題を解決するため、当社は、従来から当社グループで培ってきた大型シリコンインゴットの鋳造技術と、当社独自の加工技術を組み合わせた大面積かつ四角形状の「角型シリコン基板」を開発しました。 「角型シリコン基板」は、半導体製造工程におけるキャリア基板としての活用や、半導体パッケージのインターポーザー材料としての適用など、半導体分野における生産性向上に貢献します。