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SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です！
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
微細なクラックが見やすい！導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます
『卓上型SEM(電子顕微鏡)によるクラック観察』についてご紹介です。 製品の信頼性評価において、クラックの断面観察は欠かせません。 光学顕微鏡観察では見落とす可能性がある微小なクラックもSEM観察では 明確に確認することが可能です。 しかも卓上SEMなら、導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます。 【特長】 ■蒸着不要 ■簡易的に結晶粒が見える ■微細なクラックが見えやすい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
明視野モードと通常/標準モードの断面観察などを掲載しています！
当資料では、卓上型SEM(電子顕微鏡)によるネオジム磁石の断面観察に ついてご紹介しています。 ネオジム磁石など磁性を帯びた試料は、着磁状態でSEM観察はできませんが、 脱磁処理を施すことで、SEM観察や元素分析を行うことが出来ます。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■ネオジム磁石の脱磁とSEMによる断面観察(日立ハイテク社製TM3030Plus) ・脱磁処理(磁石は、着磁状態でのSEM観察が不可能なため、脱磁を実施) ・断面観察 ・EDXによる元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像！表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
ZEISS製の「FE-SEM ULTRA55」は、GEMINIカラムを搭載しており、 極低加速電圧で高分解能観察が可能な装置です。 検出器も複数搭載されており、さまざまなサンプルの観察が可能。 2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握ができ、低加速電圧でも ⾼分解能なEDX分析ができます。 【特長】 ■⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像 ■極低加速電圧による極表⾯分析 ■表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備 ■2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握 ■低加速電圧でも⾼分解能なEDX分析 ■無蒸着による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
平面傾斜切削も可能な“ミクロトーム”など！様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例をご紹介
自動車、携帯電話等、様々な製品で使用されている塗膜の観察、分析例を ご紹介します。 「トリプルイオンポリッシャー(CP)」は、硬・軟材料の共存する試料であっても、 ダメージのない加工ができ、「ミクロトーム」は、断面作製のみならず、 平面傾斜切削も可能。 この他、「卓上斜め切削機」は、表面情報として元の厚みの6～300倍の サンプル面を取り出すことが可能で、「卓上型SEM(電子顕微鏡)」は、低真空下 での観察が可能なモード(帯電軽減)があり、揮発成分が出る試料の観察や 元素分析ができます。 【プラスチック皮膜(携帯電話のケース)の観察】 ■トリプルイオンポリッシャー(CP) ■ミクロトーム ■卓上斜め切削機 ■卓上型SEM(電子顕微鏡) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
応用範囲が広い光学顕微鏡観察からSEM観察、EDX元素分析までの流れをご紹介！
解析手法の基本的で応用範囲が広い光学顕微鏡観察からSEM観察、 EDX元素分析までの流れをご紹介致します。 光学顕微鏡による観察は基本的な観察手法の一つであり、大まかな 形状観察等を素早く行えます。また、特長は色情報が得られる事で、 腐食等の変食を伴う異常の観察に活躍。 当資料では、この他にも「SEMによる観察」や「EDXによる元素分析」を 写真やグラフを用いて詳しく解説しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容】 ■光学顕微鏡による観察 ■SEMによる観察 ■EDXによる元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化
当社では、透過型電子顕微鏡システム FEI製「Talos F200E」を導入します。 従来機と比べTEM・STEMの分解能が向上し、4本の検出器でEDS分析が可能に なるなど性能が大幅に強化されます。 また、ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算する、ドリフト補正 フレーム積算(DCFI)なども搭載しております。 【仕様(抜粋)】 ■加速電圧：200kV、80kV ■TEMインフォメーションリミット：≦0.11nm ■STEM分解能：≦0.14nm ■ドリフト補正フレーム積算(DCFI) ・ドリフト補正をしながら複数のフレームを積算 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
