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SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です！
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化できます。 【EBICを用いた解析手法】 ■PEM/OBIRCH 不良箇所特定 ■FIB断面加工 ■低加速SEM ■EBIC解析 ■TEM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像！表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備
ZEISS製の「FE-SEM ULTRA55」は、GEMINIカラムを搭載しており、 極低加速電圧で高分解能観察が可能な装置です。 検出器も複数搭載されており、さまざまなサンプルの観察が可能。 2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握ができ、低加速電圧でも ⾼分解能なEDX分析ができます。 【特長】 ■⾼輝度電⼦銃による緻密なSEM画像 ■極低加速電圧による極表⾯分析 ■表⾯情報に敏感なインレンズSE検出器を装備 ■2種類の反射電⼦検出器による組成情報の把握 ■低加速電圧でも⾼分解能なEDX分析 ■無蒸着による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
微細なクラックが見やすい！導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます
『卓上型SEM(電子顕微鏡)によるクラック観察』についてご紹介です。 製品の信頼性評価において、クラックの断面観察は欠かせません。 光学顕微鏡観察では見落とす可能性がある微小なクラックもSEM観察では 明確に確認することが可能です。 しかも卓上SEMなら、導電処理が不要で、すばやく詳細な観察が出来ます。 【特長】 ■蒸着不要 ■簡易的に結晶粒が見える ■微細なクラックが見えやすい ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
