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スパッタ装置
長州産業独自の技術を搭載する対向ターゲット方式「ミラートロンスパッタ装置」を提供しています。 低プラズマダメージ、低基板温度を実現しながら、ご希望の機能性膜が得られます。 有機EL分野では、トップエミッション構造における透明導電膜の形成、封止膜の形成に最適です。 有機太陽電池や有機半導体などの有機デバイス、電子部品、樹脂フィルム等の様々な分野において、 最適なプロセスを提供しています。 その他、平行平板方式、円筒方式のスパッタ装置も提供しています。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
基板へのダメージを60%以上低減！低ダメージ性を維持したまま成膜速度を向上
『RAMフォース』は、プラスティックフィルム上へ光学膜やメタル等の 多層成膜をすることができるロールtoロールスパッタリング装置です。 RAMカソード（低ダメージカソード）の性能評価ばかりでなく、 ラボの条件下で自分のアプリケーションをテストし、パイロットラインから 量産ラインへと展開することができます。 【特長】 ■特許取得 ■基板へのダメージを60%以上低減 ※従来の平板式スパッタリングとRAMカソードとの比較 ■成膜速度を3倍以上向上 ※従来の対向式スパッタリングとRAMカソードとの比較 ■京浜ラムテックの独自技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
初期導入コストを抑え、拡張で高性能化が可能！研究ステージに合せてグレードアップ
『FDS/FRSシリーズ』は、必要な機能を備えた研究開発用の 卓上型マグネトロンスパッタ装置です。 基本仕様は、DCスパッタ/シングルカソード/ロータリーポンプで 構成される金属薄膜用スパッタ。 RF化、カソード増設、ターボ分子ポンプ仕様などの 拡張オプションにより、研究ステージに合せて グレードアップしていただくことが可能です。 【特長】 ■初期導入コストを抑え、後の拡張で高性能化が可能 ■基本仕様でアルゴン用MFCを備えており、ガス流量を精密に制御 ■成膜方向は試料へのゴミ付着を防止するためにデポアップを採用 ■卓上タイプながら真空シール性の高いSUSチャンバを採用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高機能マルチスパッタリング装置 6元マルチスパッタ（Φ4inch用） 4元マルチスパッタ（Φ6, 8inch用）
連続多層膜、同時成膜（2〜6元同時成膜：RF, DCをHMIより自在に配置切替） 高出力RF, DC電源, パルスDC電源を独自の'プラズマ・スイッチング・リレー'モジュールでマルチカソードに自在に配置を組み合えることが可能、様々な用途に柔軟に対応 高温基板加熱ステージ（二重ジャケット水冷式）オプション -1) Max600℃（ランプ加熱） -2) Max1000℃（C/Cコンポジット） -3) Max1000℃（SICコーティング） ロードロック内逆スパッタステージ -1) 300W、又は -2) Soft-Etching(＜30W） システム主制御：'IntelliDep'制御システム Windows PC（又はTP HMI）インターフェイス 全ての操作を一箇所のHMI画面で一元管理
基板ダメージが少ない／イオン量とエネルギーを独立制御／磁性体ターゲットに使用可能
デバイスの微細化の進展または薄膜結晶の高品質化の要求が高まるにつれて、スパッタリングにおいて基板へのイオンダメージが大きな問題となっている。従来広く利用されているマグネトロンスパッタ法では、ターゲット材と基板の間に直接プラズマを形成するため、「1 イオンダメージの回避が困難」であり、高密度プラズマ生成時にはこの問題が顕著化してしまう。またプラズマ生成のための放電とイオン引き込みを同一の電源で同時に行うため、「2 ターゲット材へ流入するイオン量とそのエネルギーを独立に制御することが不可能」であること。ターゲット表面に存在する漏れ磁束でプラズマ閉じ込めを行うため、「3 磁性体ターゲットにおいては使用が困難である」ことなどの課題も存在する。 本発明は、ヘリコン放電による高密度プラズマ生成や、湾曲磁場によるプラズマ形状制御等により、上記1～3の課題を解決するものであり、それと同時にターゲット材の昇温機構を兼ねることや、大口径基板への均一成膜、高速成膜も検討し得る。
ヒーターステージ(1000℃)搭載！開発工程～量産工程まで様々な用途へ活用が可能
『S600』は、多層・積層成膜プロセスの改善により電子部品の品質強化と 生産性向上に貢献する多層膜スパッタリング装置です。 高品質・高精度な成膜によりデバイス品質の向上。高スループット、 生産歩留り向上、材料利用効率の最適化によりコスト競争力をアップします。 多様な成膜条件に対応したオプションにより多品種少量生産、柔軟な 生産計画へ対応可能です。 【特長】 ■最大5基のカソード搭載により多様なプロセスと高生産性を両立 ■T/S距離調整により長期間の高膜厚均一性を維持 ■独自プラズマ制御(MPスパッタ)技術にてスパッタ薄膜特性を向上 ■ヒーターステージ(1000℃)搭載で高温プロセスが可能 ■開発工程～量産工程まで様々な用途へ活用が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
放電操作が容易！RF電源にオートマッチングを採用したコンパクトな設計
『FRS-HGシリーズ』は、2源/3源の同時スパッタ機能を搭載した 研究開発用の多源同時マグネトロンスパッタ装置です。 据付タイプながらコンパクト且つスタイリッシュな設計。 成膜ソース導入ポートは3ヶ所用意されており、スパッタリングカソードに 加え、アークプラズマ蒸着源などスパッタリングとの相乗効果が期待できる 成膜ソースを搭載することが可能です。 【特長】 ■据付タイプながらコンパクト且つスタイリッシュな設計 ■RF電源にオートマッチングを採用しており、放電操作が容易 ■2源または3源の同時成膜により、薄膜の機能・性能の微調整が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
