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当社が取り扱う『SiC超高電圧直流電源』をご紹介します。 超高電圧直流絶縁技術により直流300kV超高電圧発生部の 小型自己シールドを実現。多出力対応が可能です。 また、過電圧、過電流、過温度、保護回路、負荷アーキング検出、 自己復帰シーケンスを内蔵しております。 【特長】 ■超高電圧SiC SBD使用 ■直流300kV超高電圧発生部の小型自己シールドを実現 ■90%を超える高効率 ■過電圧、過電流、過温度、保護回路内蔵 ■負荷アーキング検出、自己復帰シーケンス内蔵 ■多出力対応可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ネクスファイ・テクノロジー株式会社が取り扱う 『SiC小型高電圧直流電源』をご紹介します。 当社オリジナルの超高電圧SiC SBDを使用。 小型軽量で、高速フィードバック回路を搭載しております。 また、中点接地により160kVまで対応可能なほか、X線耐性が 高いため鉛シールド内に設置することができます。 【特長】 ■小型軽量 ■低消費電力 ■超高電圧SiC SBD使用(当社オリジナル) ■乾電池駆動対応可能 ■高耐放射線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社が取り扱う『SiC高電圧スイッチモジュール』をご紹介します。 高速制御技術と高電圧絶縁技術により超小型・高電圧スイッチ モジュールを実現しました。 モジュールを直並列することにより、さらに高電圧(最大80kV)・ 大電力の高速スイッチが可能です(カスタムオプション)。 【仕様】 ■定格電圧:<20kVdc ■定格パルス電流:500A ■定格電流:<100Adc ■立上りスピード:50ns ■連続駆動最大周波数:1MHz ■サイズ:約150×150×150mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社が取り扱う『SiCインパルス発生器』をご紹介します。 インバータモータ巻線などの絶縁試験、ナノプラズマ高繰り返し 放電を用いた表面改質、ソリューションプラズマ(液中プラズマ)を 用いた有害物質の分解などに好適。 10kV出力までをラインアップ予定です。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【仕様】 ■定格出力電圧:4kV ■最大出力電流:1A ■出力パルス幅:最小0.01μs/最大9.99μs ■パルス連続繰返し数:最大200kpps ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。