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GaN HEMTの評価において、DC測定だけでは実動作におけるデバイスの真の挙動を捉えきれません。自己発熱やトラップ効果が引き起こす電流コラプス等の現象は、RF出力低下や信頼性劣化の要因となります。 本無料オンラインセミナーでは、米国のトップ研究者らが登壇し、パルスIV測定、RF特性評価、熱反射イメージングを統合した最新の評価ワークフローを公開します。 通訳なしの英語開催となりますが、是非ご参加ください。 【主なプログラム】 GaNデバイスのパルスIV/RF/熱反射イメージング相関データ解析 GaN、SiC等の熱劣化メカニズムと信頼性への影響 IR（赤外線）の限界を超える、ピコ秒分解能・熱反射イメージング RF/シリコンフォトニクス向け自動ウェハレベル評価システム 【開催概要】 日時：2026年5月27日 7:00 AM または 7:00 PM (PDT) ※日本時間：5月27日(水) 23:00 または 5月28日(木) 11:00 参加費：無料（オンライン配信・ライブQ&Aあり） 次世代デバイス開発のヒントが満載です。ぜひご登録ください。