3DプリンティングSiC、航空宇宙・半導体機器・太陽熱発電・防衛
製造プロセスに制約を受けていたシリコン・カーバイドの形状設計は過去のものになり、これからはあなたの想像力が形になります。
シリコンカーバイド『IntrinSiC（R）』は、シリコン浸透・反応結合シリコンカーバイド（RBSiC）で作成される 大型で複雑な一体型構成部材の生産に向けた優れたイノベーションです。 RBSiCの優れた材料特性と３Dプリンティングによるプロセス特有の利点を合わせることで、 リングラフィや計測、そして熱処理技術の市場に新たな構造デザインの可能性を提供します。 【特長】 ■大型で複雑な一体型構造も1つの製造工程で成形可能 ■研削や研磨、そしてラップ仕上げによって高度な表面仕上げを実現 ■接触・非接触測定法で既存製品のリバースエンジニアリングを実現 ■データの評価とデジタル化が可能 ※詳しくは「PDFダウンロード」より製品のカタログをご覧ください。 ※お問い合わせもお気軽にどうぞ。
- 企業：シュンク・カーボン・テクノロジー・ジャパン株式会社
- 価格：応相談
