発光ダイオード(led) - メーカー・企業と製品の一覧 | イプロス

発光ダイオードの製品一覧

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小型高輝度 Direct Mountable Chip シリーズ

小型高輝度LEDパッケージで、照明器具デザイン自由度を向上させ、新しい光環境を創出

照明用LED『Direct Mountable Chip』の最大の特徴は LEDチップの側面に特別な「反射壁」を設け パッケージ内で発生した光を効率的にパッケージ上面へ反射させる構造にあります。 パッケージ側面方向への発光成分を少量に抑えることで、 複数のCSPを高密度に実装した際に発生するクロストーク現象 (隣接したLED製品による光減衰及び発光色の変化)を低減させることができます。 この技術により多様な照明応用製品において、 従来のCSPでは達成が困難であった光束密度と 高い光取り出し効率とを両立した灯具の実現が可能となりました。 また、『単色カラー Direct Mountable Chip』は、 当社が培ってきた青色チップと蛍光体の技術に基づき、 青色, 緑色, 橙色, 赤色の発光を実現しています。 白色を含むすべての色で順電圧(Vf)を統一しており、 電気回路設計の簡易化に寄与します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 照明プランニング
  • システム照明・照明制御
  • 天井用照明器具
  • 発光ダイオード

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静電破壊した橙色LEDの不良解析

良品と静電気(ESD)破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します!

当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気(ESD)破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気(ESD)破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、  ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで  破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他分析機器
  • 発光ダイオード

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