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UHF帯の電波を使ったワイヤレス給電により、バッテリーレス（電池レス）の無線デバイスを実現
当社のバッテリーレスソリューションは、当社不揮発性メモリFeRAM製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術です。 お客様のアプリケーションに沿ったソリューションを提供します。 ■バッテリーレスソリューションによる効果 ＜ユーザーからのメリット＞ ・電池交換不要（購入不要、確保不要） ・ケーブルレスによりモビリティ向上、置き場所の自由度が向上 ＜機器開発メーカーのメリット＞ ・電池ボックス削減により、デザイン性（薄型化、小型化）の自由度が 上がる ・防水、防塵加工が容易となる
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ
「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
車載向け・産業向け（工場系）・インフラ向けなどの商談事例をご紹介！
『FeRAMの商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMをご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ
『FeRAM（Ferroelectric Random Access Memory）』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性：バッテリバックアップ不要 ■高速書込み：消去（イレーズ）動作不要 ■高書換え耐性：10兆回保証（一部除く） ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリ！FeRAMの基礎編をご紹介
『FeRAM』は、半導体メモリのひとつで、強誘電体メモリとも呼ばれ、 電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。 当資料では「FeRAMの基礎編」についてご紹介しております。 "FeRAMの概要"をはじめ、"FeRAMの商談事例"や"FeRAMの実績"、 "FeRAMの特長"や"課題と解決策"を掲載。 役に立つ一冊となっております。是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■FeRAMの概要 ■FeRAMの商談事例 ■FeRAMの実績 ■FeRAMの特長 ■課題と解決策 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
車載グレード『高品質規格AEC-Q100グレード1』を満たすための高信頼性評価をクリアしたFeRAM
当社は、高温環境で動作を保証するメモリが欲しいという、車載/産業分野のお客様の要望に応え、 2016年から車載対応FeRAM製品を開発し、提供しています。 これらの製品は、従来の製品の動作温度を125℃に拡張しただけではなく、内部回路の設計から 改めて見直すことで信頼性を向上させています。さらに、AEC-Q100の信頼性試験規格に準拠し、 PPAPに対応しています。 また、産業機械などモーター機構を搭載するアプリケーションでは、モーターによる発熱によって 高温になるため、高温環境下においても動作を保証できる電子部品が必要とされています。 当社は、これらの市場のニーズに対して、高信頼性・高性能の125℃動作が可能なFeRAMを提供しています。 【125℃動作のFeRAMの特長】 ■車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリア ■SPIインターフェース ■メモリ容量：64Kビット～4Mビットまで ※製品一覧の詳細は、下記のサイトをご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ
【高速書込み・高書換え回数・低消費電力】バイナリカウンタ機能を内蔵したエンコーダ向け16kビット不揮発メモリ（FeRAM）
FeRAM（強誘電体メモリ）は、高速書込み・高書換え回数・低消費電力という特徴を持つ不揮発性メモリです。 本製品は、さらにチップ内にデータ処理（Data Processing）：バイナリカウンタ機能を内蔵しているため ロータリーエンコーダ用途に最適です。 また、動作温度も～125℃に拡張しております。 【特長】 ■高速書込み・高書換え回数 ■業界トップクラスの低消費電力でバッテリライフを長寿命化 ■バイナリカウンタ機能を内蔵 ■動作温度 －40℃～125℃ ■製品の小型に最適 ※詳しくは【PDFダウンロード】より資料をご確認ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
