RAM カソード 原理
従来までの課題を解決！低ダメージ性を維持したまま、成膜速度を大幅に向上させました
従来の平板式スパッタリングでは、基板に大きなダメージを与えており、 対向式スパッタリングでは、成膜速度が遅く実用に課題がありました。 当社の「RAMカソード」は、ターゲットで四方を囲むことにより、 ターゲット表面近くに濃いプラズマを発生させることに成功。 アルゴンイオンが勢いよく大きな力でターゲットにぶつかることによって、 従来までの課題を解決しました。 【特長】 ■従来のプレーナー式カソードに比べて 基盤にあたえるダメージを60%以上低減 ■従来の対向式カソードに比べて成膜速度が3倍以上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：京浜ラムテック株式会社
- 価格：応相談
