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分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介！
当社では、電子部品ばかりではなく無機・有機素材をはじめ、多くの製品、 部品、素材を故障・不良解析、構造解析、良品解析、信頼性評価といった面で お客様の課題・問題解決に向けてサポートしています。 当資料は、分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介。 お客様にとっても問題解決の端緒と紐解きの一助となれば幸いです。 【掲載内容】 ■はじめに ■接合のイメージと当社の評価・解析技術の位置付け ■不具合要因 ■手法 ■終わりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
