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最大成膜エリア400mmΦ・315mm□！スパッタリングによる各種薄膜の成膜
当社では、各種金属材料、酸化膜材料等の受託成膜を行っており 特にプラスチック基板上への成膜を得意としております。 通常納期は1週間程度で、ご要望によりパターン成膜も可能。 まずは成膜したい材料、用いる基材をお知らせください。 お客様のご要望をもとに、前処理条件、成膜条件、膜厚等を決定いたします。 【可能な基材】 ■ガラス ■金属 ■セラミック ■Siウエハー ■各種プラスチック材料 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
DLC成膜(膜質:ta-C領域, 表面粗度Ra0.16nm, 透過率：88％)を 従来では課題の多かったスパッタで実現
RAM CATHODE（4面対向式カソード）により、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 ４面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。 拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、 互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、 DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。 その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板を擦りつけることにより、瞬時にフッ素のバリアが完成！
『CS1』は、特殊な溶液を染み込ませやシートで基板を拭くことにより、 基盤が自分自身で表面にフッ素の結晶を生み出すフッ素成膜です。 自己組織化法による成膜は化学反応による結合のため耐久性に優れます。 また、原子・分子レベルの単層でバリアが出来るため、誰でも簡単に均一な フッ素膜を成膜できます。 【特長】 ■汚れがつきにくい ■汚れが落ちやすい ■素早く簡単にできるフッ素成膜 ■タッチパネルの操作性にほとんど影響しない ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
