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チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます
『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EPROMデバイスのメモリを消去できます。 【ラインアップ(一部)】 ■EPROM Microchip ・メーカー型番：AT27C020-55JU ・メーカー型番：AT27C256R-70PU ・メーカー型番：AT27C040-70JU ・メーカー型番：AT27C4096-90JU ・メーカー型番：AT27C040-90JU ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
CPUとメインメモリの間の待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上します
『DRAM』は、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで 情報を保持します。 RAMは種類によってCPUのクロックとメモリアクセスが非同期ですが、 SDRAMメモリは、同期している為、CPUとメインメモリの間の 待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上。 複数の動作段階を並行に行うパイプライン処理が可能となり、前の命令による メモリ素子への読み書きを行っている間に、新たな命令を受け付けることが できます。そのため、SDRAMは非同期DRAMよりもより高速に動作できます。 【ラインアップ(一部)】 ■SDRAM Micron 256MB SDR ■SDRAM Micron 128MB SDR ■DDR SDRAMメモリ Micron 512MB DDR ■SDRAM ISSI 128Mbit ■SDRAM ISSI 256Mbit ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主に補助記憶装置として使用！高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及
『不揮発性メモリ』(NVRAM)は、電源供給を行わなくてもデータを 保持する半導体メモリです。 当製品は、主に補助記憶装置として使用。DRAMなどの揮発性メモリに 比べると書き換え速度や耐久性(消去・上書き回数の上限)が低いため、 高速なストレージ装置(SSDやUSBメモリなど)として普及しています。 コンピュータのモニタやプリンタ、自動車やスマートカードなど、 設定情報を記憶する必要がある様々なデバイスに使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■不揮発性メモリ(NVRAM) STMicroelectronics ■不揮発性メモリ(NVRAM) Maxim Integrated ■不揮発性メモリ(NVRAM) Greenwich Instruments ■不揮発性メモリ(NVRAM) Infineon ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回数、低消費電力など
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置！多数メーカー/ブランドをご用意
当社で取り扱う、「USBメモリ」をご紹介します。 USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置。 当社では、VerbatimやTranscend、iStorageなどの メーカー/ブランドを取り扱っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【ラインアップ(一部)】 ■Verbatim USBメモリ 128 GB, USB 3.2, 49319 ■Transcend USBメモリ 1 GB, USB 2.0, TS1GJF170 ■Verbatim USBメモリ 64 GB, USB 3.0, 49318 ■Verbatim USBメモリ 32 GB, USB 3.0, 49317 ■Verbatim USBメモリ 32 GB, USB 2.0, 49064 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
データを一時的に保存したり取得する！コンピュータの短期メモリ
「RAM(ランダムアクセスメモリ)」は、コンピュータのメモリ又は ストレージの一種です。 ラップトップやコンピュータが現在使用しているすべてのデータを 保存しているため、遅延なくプログラムにアクセスしマルチタスク をこなすことが可能。 一般的に4GB、8GB、16GB、32GBのオプションで入手できます。 【ラインアップ(一部)】 ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Crucial 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 4GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 2GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) InnoDisk 1GB ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
