更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
更新日： 集計期間:2025年08月27日～2025年09月23日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
1～15 件を表示 ／ 全 38 件
チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます
『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EPROMデバイスのメモリを消去できます。 【ラインアップ(一部)】 ■EPROM Microchip ・メーカー型番：AT27C020-55JU ・メーカー型番：AT27C256R-70PU ・メーカー型番：AT27C040-70JU ・メーカー型番：AT27C4096-90JU ・メーカー型番：AT27C040-90JU ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型で軽量、雷の侵入を“見える化”へ
接地線などに侵入したサージ電流レベルとその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 サージ電流レベル（100A~，1000A~） とその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 SPD、避雷器（アレスタ、サージプロテクタなど）、雷対策製品、雷サージ対策製品、誘導雷対策、雷対策専門メーカーの音羽電機工業製。
【評価機の貸出しアリ】パスワード認証よりも安全な指紋認証USBメモリ
パスワード認証USBメモリでは『なりすまし』対策はできません！ 過去にパスワード認証USBメモリとパスワードを記録した ポストイットや手帳と同時に紛失してしまった情報漏洩事故が 実際に発生しています。 指紋認証ＵＳＢメモリBiocryptodisk-ISPXは ●パスワードよりも安全な情報漏えい対策が可能 ●認証速度0.6秒 ※詳細はカタログをダウンロードして下さい。 ※評価機の貸出しをご希望の方は下記「お問合せ」よりお申込下さい。
安価で高品質なメモリソリューションをお求めの方はぜひLongsysを！ TLC、MLC、SLC等のラインナップ在り◎
深圳市江波龍電子有限公司（Longsys）は1999年に創業した、NAND Flashフラッシュメモリアプリケーションとメモリチップのカスタマイズ、 ストレージソフトウェア・ハードウェア開発に焦点をあてたストレージ関連企業です。 主にモバイルストレージ、組み込み型ストレージ、SSD、ワイヤレスストレージ、マイクロメモリ等 ストレージアプリケーションプランの設計と革新型技術製品の開発及びグローバル市場での販売を行っており、 フラッシュメモリチップの年間⽣産量は2億個を超えています。 本社は深圳にあり、北京、上海、香港、台北、米国等に支社や事務所を設けており、世界中に販売ネットワークが広がっています。 また多くの世界の有名ウエハファブ、パッケージング・テスト企業等とアライアンスによるパートナーシップを結び、 世界のユーザーに高品質のメモリイノベーティブ製品とソリューションを提供しています。 民生用・工業用共に取り扱っております。 安価で高品質な製品をお求めの方はぜひ一度お問い合わせ下さい。
台湾のDRAM専業メーカー ＊DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDRAM、モバイル SDRAMで128MB～8GB
ProMOSは1996年に台湾で設立され、メモリ製品とソリューションの設計、開発、製造、販売を行っています。 DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDRAM、モバイル SDRAMなど 128MB SDRAM から8GB DDR4まで幅広く取り揃えています。 一般温度から、工業用、車載用、ミリタリースペックまで 幅広い温度範囲の製品を持っています。 産業用用途をメインとしており、チップのシュリンクや供給機関も 競合他社と比較して長くなっています。 カーナビや監視カメラ、PC、プリンター、スキャナーなど様々なアプリケーションでご利用いただけます。 クロスリファレンスを用意しておりますので、他社製品をお使いのお客様もお気軽にお問い合わせ下さい。
MLCをSLCとして使えるpSLCを全メモリ製品に採用することで、高性能安価を実現！
当社は、UDinfoブランドのSSD、CF、ATAカード、SDはじめ、IDE module, SATA moduleなど組み込み用、産業用、工業用フラッシュメモリーを多数 取り揃えております。 品質を第一に過酷な温度環境に対応した製品を少量ロットから、大ロットまで 短納期で対応できるよう、台湾にて生産体制をとっています。 また、当社ブランド品の供給、および御社ブランドにも対応できます。 ご用命の際は、お問い合わせください。 【特長】 ■インターフェース：PCMCIA、CF、IDE、SATA、USB、SD ■幅広い使用温度範囲：－40℃～85℃ ■搭載できるNANDメモリの型式：SLC,MLC,Pseudo SLC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
UHF帯の電波を使ったワイヤレス給電により、バッテリーレス（電池レス）の無線デバイスを実現
当社のバッテリーレスソリューションは、当社不揮発性メモリFeRAM製品を 搭載したRFIDの給電の仕組みを利用し、タグ側に付加したデバイスを バッテリーなしで動作させる技術です。 お客様のアプリケーションに沿ったソリューションを提供します。 ■バッテリーレスソリューションによる効果 ＜ユーザーからのメリット＞ ・電池交換不要（購入不要、確保不要） ・ケーブルレスによりモビリティ向上、置き場所の自由度が向上 ＜機器開発メーカーのメリット＞ ・電池ボックス削減により、デザイン性（薄型化、小型化）の自由度が 上がる ・防水、防塵加工が容易となる
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ
「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
車載向け・産業向け（工場系）・インフラ向けなどの商談事例をご紹介！
『FeRAMの商談事例』についてご紹介いたします。 カーナビやドライブレコーダなどの車載向けアプリケーションでは、 "リアルタイムでのデータの連続記録"などがメモリに要求されます。 必要とされる特長は、高速書換え耐性、不揮発性、高速書込み。 当製品は、要求する特長を兼ね備えたメモリです。 「データを頻繁に取得したいが、メモリの書換え制限でできない」 「瞬断や停電のときに書込み中のデータ保護の対策が難しい」 このような課題をお持ちのお客様は、是非FeRAMをご検討ください。 【商談事例（抜粋）】 ＜車載向け＞ ■メモリへの要求 ・リアルタイムでのデータの連続記録／アクシデント発生時でのデータ保護 ■必要とされる特長 ・高書換え耐性／不揮発性／高速書込み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不揮発性メモリの世界市場（2023～2028）：従来型、次世代型
Mordor Intelligence社の本調査資料では、グローバルにおける不揮発性メモリ市場規模が、予測期間中にCAGR10.26%で拡大すると展望しています。本資料は、不揮発性メモリの世界市場について調査を行い、市場の現状や動向をまとめています。イントロダクション、調査手法、エグゼクティブサマリー、市場インサイト、市場動向、種類別分析（従来型、次世代型）、産業別分析（家電、小売、IT・通信、医療、その他）、地域別分析（アメリカ、カナダ、イギリス、ドイツ、フランス、中国、日本、韓国、インド）、競争状況、投資分析、市場の将来など、以下の項目を掲載しています。
CPUとメインメモリの間の待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上します
『DRAM』は、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで 情報を保持します。 RAMは種類によってCPUのクロックとメモリアクセスが非同期ですが、 SDRAMメモリは、同期している為、CPUとメインメモリの間の 待ち時間は短縮され、プログラムの動作速度が向上。 複数の動作段階を並行に行うパイプライン処理が可能となり、前の命令による メモリ素子への読み書きを行っている間に、新たな命令を受け付けることが できます。そのため、SDRAMは非同期DRAMよりもより高速に動作できます。 【ラインアップ(一部)】 ■SDRAM Micron 256MB SDR ■SDRAM Micron 128MB SDR ■DDR SDRAMメモリ Micron 512MB DDR ■SDRAM ISSI 128Mbit ■SDRAM ISSI 256Mbit ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
