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チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます
『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EPROMデバイスのメモリを消去できます。 【ラインアップ(一部)】 ■EPROM Microchip ・メーカー型番：AT27C020-55JU ・メーカー型番：AT27C256R-70PU ・メーカー型番：AT27C040-70JU ・メーカー型番：AT27C4096-90JU ・メーカー型番：AT27C040-90JU ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置！多数メーカー/ブランドをご用意
当社で取り扱う、「USBメモリ」をご紹介します。 USBポートに接続してデータを読み書きする記憶装置。 当社では、VerbatimやTranscend、iStorageなどの メーカー/ブランドを取り扱っております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【ラインアップ(一部)】 ■Verbatim USBメモリ 128 GB, USB 3.2, 49319 ■Transcend USBメモリ 1 GB, USB 2.0, TS1GJF170 ■Verbatim USBメモリ 64 GB, USB 3.0, 49318 ■Verbatim USBメモリ 32 GB, USB 3.0, 49317 ■Verbatim USBメモリ 32 GB, USB 2.0, 49064 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型で軽量、雷の侵入を“見える化”へ
接地線などに侵入したサージ電流レベルとその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 サージ電流レベル（100A~，1000A~） とその検知時刻を記録、表示 小形で軽量・取り付け容易 SPD、避雷器（アレスタ、サージプロテクタなど）、雷対策製品、雷サージ対策製品、誘導雷対策、雷対策専門メーカーの音羽電機工業製。
【評価機の貸出しアリ】パスワード認証よりも安全な指紋認証USBメモリ
パスワード認証USBメモリでは『なりすまし』対策はできません！ 過去にパスワード認証USBメモリとパスワードを記録した ポストイットや手帳と同時に紛失してしまった情報漏洩事故が 実際に発生しています。 指紋認証ＵＳＢメモリBiocryptodisk-ISPXは ●パスワードよりも安全な情報漏えい対策が可能 ●認証速度0.6秒 ※詳細はカタログをダウンロードして下さい。 ※評価機の貸出しをご希望の方は下記「お問合せ」よりお申込下さい。
安価で高品質なメモリソリューションをお求めの方はぜひLongsysを！ TLC、MLC、SLC等のラインナップ在り◎
深圳市江波龍電子有限公司（Longsys）は1999年に創業した、NAND Flashフラッシュメモリアプリケーションとメモリチップのカスタマイズ、 ストレージソフトウェア・ハードウェア開発に焦点をあてたストレージ関連企業です。 主にモバイルストレージ、組み込み型ストレージ、SSD、ワイヤレスストレージ、マイクロメモリ等 ストレージアプリケーションプランの設計と革新型技術製品の開発及びグローバル市場での販売を行っており、 フラッシュメモリチップの年間⽣産量は2億個を超えています。 本社は深圳にあり、北京、上海、香港、台北、米国等に支社や事務所を設けており、世界中に販売ネットワークが広がっています。 また多くの世界の有名ウエハファブ、パッケージング・テスト企業等とアライアンスによるパートナーシップを結び、 世界のユーザーに高品質のメモリイノベーティブ製品とソリューションを提供しています。 民生用・工業用共に取り扱っております。 安価で高品質な製品をお求めの方はぜひ一度お問い合わせ下さい。
台湾のDRAM専業メーカー ＊DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDRAM、モバイル SDRAMで128MB～8GB
ProMOSは1996年に台湾で設立され、メモリ製品とソリューションの設計、開発、製造、販売を行っています。 DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDRAM、モバイル SDRAMなど 128MB SDRAM から8GB DDR4まで幅広く取り揃えています。 一般温度から、工業用、車載用、ミリタリースペックまで 幅広い温度範囲の製品を持っています。 産業用用途をメインとしており、チップのシュリンクや供給機関も 競合他社と比較して長くなっています。 カーナビや監視カメラ、PC、プリンター、スキャナーなど様々なアプリケーションでご利用いただけます。 クロスリファレンスを用意しておりますので、他社製品をお使いのお客様もお気軽にお問い合わせ下さい。
タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正ができます
当社では、リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能な 時計補正対応形の『情報メモリー(VAM)記憶部』を取り扱っております。 電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間までバック アップ。F形リレー形状なので省スペースで設置が容易です。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■タイマー自動補正ユニットを接続することにより、自動で時計補正可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析することが可能
当社では、踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易な 『情報メモリーVAM32』を取り扱っております。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
専用の読出器が不要で、パソコンなどを使用して容易に解析できます
『情報メモリーVAM32II』は、 リレー式踏切設備の動作状態を 記憶・読出・データ解析することができる装置です。 モデムなどを使用することにより、事務所でデータを読出すことができ、 現地へ到着するまでに故障解析を行えるので、障害復旧時間の短縮が 図れます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■リレー式踏切設備の動作状態を記憶・読出・データ解析可能 ■踏切番号を個別に設定できるので、データ管理が容易 ■電源を切断しても、記憶内容・内蔵カレンダー時計を48時間まで バックアップ(常温で完全充電時) ■F形リレー形状なので省スペースで設置が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示。 時刻補正用GPS内蔵タイプと非内蔵タイプの2種類
『情報メモリーVAM32III』は、リレー式踏切設備の動作状態を 最大32接点分記憶(読出・データ解析)することができる装置です。 USBメモリーで簡単に読み出せて、PCでの解析が容易。 GPS内蔵タイプは、 時刻補正出力を有しています。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■記憶容量を120,000変化まで増量 ■USB伝送またはRS-232Cで読出が可能 ■自己故障時に接点出力し、表示部にエラーを表示 ■表示部で機器ナンバー等が確認可能 ■オプションのモバイルプリンタを使用し、現場で印刷可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
最高125℃の高温環境でも最大10兆回のデータ書き換えが可能。車載用、産業機械向けに好適な不揮発性メモリ
「FeRAM」は、強誘電体の素子を使用した不揮発性メモリです。 高書き換え耐性・高速書き込み・低消費電力といったメリットをもちます。 特に『MB85RS4MTY』は、2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」の さらなる大容量化ニーズに応えるべく開発された4MビットFeRAM。 125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数ができ、 先進運転支援システム（ADAS）を代表とする車載向けや 産業用ロボット向けに好適です。 【特長】 ■1.8～3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作 ■SPIインターフェースを採用 ■高温環境であっても動作電流が最大4mA（50MHz動作時）、 パワーダウン電流が最大30μAと低消費電力 ※「FeRAM」の詳しい特長や採用事例を紹介した資料を進呈中。 “PDFダウンロード”よりご覧いただけます。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAMを開発！高速動作と低消費電力を実現
『MB85R8M2TA』は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、 パラレルインターフェースのFeRAMです。 当社従来品よりもアクセススピードを約30％高速化するとともに、 動作電流を10％削減しており、高速動作と低消費電力を両立。 これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。 【特長】 ■高書換え耐性（書換え保証回数が多い） ■高速書込み ■低消費電力 ■20年以上の量産実績あり ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
54Mバイト/秒のデータ書換えが可能！8MビットQuad SPI FeRAMを開発しました
『MB85RQ8MLX』は、インターフェースに高速シリアルインターフェースである Quad SPIを搭載することにより、アクセスタイム45ns相当のSRAMに匹敵する 54MB/sの帯域幅を実現した不揮発性メモリです。 メモリ性能を落とすこと無くパラレルインターフェースのSRAMとの置き換えが可能。 従来のパラレルインターフェースより大幅なピン数削減も可能になるため、 基板上の配線レイアウトも簡単になり、BOMコスト削減に貢献いたします。 本製品のほかに3.3V（2.7V～3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FeRAM (MB85RQ8MX)も開発中です。 【特長】 ■ビット構成：1,048,576ワード×8ビット ■動作周波数：108MHz(シングル読出しはFSTRDコマンド使用時) ■書込み/読出し耐性：10^13回/バイト ■データ保持特性：10年(+105℃) ■動作電流：18mA @Quad I/O 108MHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
