半導体デバイス精密切断機(金属) - メーカー・企業と製品の一覧

半導体デバイス精密切断機の製品一覧

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高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産性向上を実現。従来工法と比較して小フットプリント化.

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの短縮が生産性の向上に繋がるほか、水を使用しないため環境に優しく、生産コストの削減が可能です。 【MDI独自技術SnB(スクライブ&ブレーク)の特徴】 ■高周波デバイスやパワーデバイスに対して、安定高速切断加工が可能! ■高精度・高品質な切断加工でストリート幅削減&小サイズ対応が可能! ■さまざまな半導体/電子部品の加工に対応! ■多層構造の複合材料にも対応! 長年培ったノウハウと理論化したシミュレーションで最適な加工方法をご提案します。 ※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。

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パワーデバイス(SiC)をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産性向上を実現。従来工法と比較して小フットプリント化.

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの短縮が生産性の向上に繋がるほか、水を使用しないため環境に優しく、生産コストの削減が可能です。 【MDI独自技術SnB(スクライブ&ブレーク)の特徴】 ■高周波デバイスやパワーデバイスに対して、安定高速切断加工が可能! ■高精度・高品質な切断加工でストリート幅削減&小サイズ対応が可能! ■さまざまな半導体/電子部品の加工に対応! ■多層構造の複合材料にも対応! 長年培ったノウハウと理論化したシミュレーションで最適な加工方法をご提案します。 ※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。

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