不揮発性メモリ(フラッシュメモリ) - メーカー・企業と製品の一覧

不揮発性メモリの製品一覧

1~2 件を表示 / 全 2 件

表示件数

【メモリ】強誘電体メモリ(FRAM) ラインアップ一覧

フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価!高速書込み、高書換え回数、低消費電力など

『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • IT制御・サービス

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM​』

豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ

『FeRAM​(Ferroelectric Random Access Memory)』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性:バッテリバックアップ不要 ■高速書込み:消去(イレーズ)動作不要 ■高書換え耐性:10兆回保証(一部除く) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 部品・材料

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録