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トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
安価で高品質なメモリソリューションをお求めの方はぜひLongsysを！ TLC、MLC、SLC等のラインナップ在り◎
深圳市江波龍電子有限公司（Longsys）は1999年に創業した、NAND Flashフラッシュメモリアプリケーションとメモリチップのカスタマイズ、 ストレージソフトウェア・ハードウェア開発に焦点をあてたストレージ関連企業です。 主にモバイルストレージ、組み込み型ストレージ、SSD、ワイヤレスストレージ、マイクロメモリ等 ストレージアプリケーションプランの設計と革新型技術製品の開発及びグローバル市場での販売を行っており、 フラッシュメモリチップの年間⽣産量は2億個を超えています。 本社は深圳にあり、北京、上海、香港、台北、米国等に支社や事務所を設けており、世界中に販売ネットワークが広がっています。 また多くの世界の有名ウエハファブ、パッケージング・テスト企業等とアライアンスによるパートナーシップを結び、 世界のユーザーに高品質のメモリイノベーティブ製品とソリューションを提供しています。 民生用・工業用共に取り扱っております。 安価で高品質な製品をお求めの方はぜひ一度お問い合わせ下さい。
古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
組み込み用途に好適なFlash Memoryソリューションを多数ご用意！
『e・MMC/eMCP』は、モバイル機器向け製品です。 NAND FlashとControllerを1パッケージ化した「e・MMC」と、 e・MMCとモバイルDRAMを組み合わせたマルチチップパッケージ メモリの「eMCP」をご用意。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【ラインアップ】 ■e・MMC(Embedded MultiMedia Card) ■eMCP(Embedded Multi Chip Package) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
