【IGBT,パワーMOSFET評価用】高電圧試験ボックス
高電圧試験環境での安全性を確保するために開発された高電圧試験ボックス！
パワーエレクトロニクスやパワー半導体素子の高電圧実験時に、感電から身を守るための適した試験環境を提供します。 この高電圧試験ボックスは、IGBTやパワーMOS FET、ダイオード、トランジスタなど、さまざまな半導体デバイスを対象に、 安全に高電圧実験を行うために設計されています。 本製品は、九州工業大学の大村先生の 「パワーデバイス評価実験において、学生の安全を最優先に考えた試験環境を整えたい」 という熱い想いから生まれました。 【特長】 1. 扉の完全ロック機能：100V以上の高電圧試験中、扉が自動的にロックされ、誤って開けてしまうリスクを排除します。 2. 残留電圧の完全放電機能：試験後、扉を開放する前にコンデンサの残留電圧を完全に放電し、安全性を確保します。 3. 金属絶縁されたラック筐体：高い安全性を提供する金属絶縁された筐体を採用し、外部からの影響を最小限に抑えます。 4. 柔軟な対応が可能：卓上型ボックスへの変更や、実験の規模に応じたボックスの連結が可能で、様々なニーズに対応します。 ※詳細はPDFをダウンロードいただくか直接お問い合わせください。
- 企業：九州計測器株式会社
- 価格：100万円 ~ 500万円
