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ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモリ
MB85RS1MTは、3.09 x 2.28 x 0.33mmの小型サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。 さらに、本小型パッケージは、クレジットカードの約半分となる0.33mmの薄さを実現しており、実装体積比ではSOPの約95%の体積を削減することができます。 リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAMを導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RS1MT ・メモリ容量（構成）： 1Mビット（128K x 8ビット） ・インタフェース： SPI （Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（＋85℃） ・パッケージ： 8ピンWL-CSP、8ピンSOP
SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリーレス・ソリューションを実現
本製品は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。汎用SRAMと互換性がある44ピンTSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAMに置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献します。 ■主な仕様 ・容量（構成）： 4Mビット（256K×16ビット） ・電源電圧： 1.8V～3.6V ・動作温度範囲： -40℃～+85℃ ・書き込み/読み出し耐性： 10兆回（10 13回） ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・アクセスタイム アドレスアクセスタイム： 150ns（Min） /CEアクセスタイム： 75ns（Max） ・動作電流 動作電源電流： 20mA（Max） スタンバイ電流： 150uA（Max） スリープ電流： 20uA（Max） ・パッケージ： 44ピンTSOP
ネットワーク機器の性能向上に貢献する、高速動作の不揮発性メモリ4MビットFeRAM「MB85RQ4ML」
本製品は、1.8V単一電源で動作し、4本の入出力ピンをもつクワッドSPIインターフェースを採用することで、54Mバイト/秒のデータ転送速度を実現しています。 この高速動作と不揮発性メモリの特長により、ネットワーキング、RAIDコントローラ、産業用コンピューティング分野での使用に最適です。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RQ4ML ・メモリ容量（構成）： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI /クワッドSPI ・動作電源電圧： 1.7V～1.95V （単一電源） ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・パッケージ： 16ピンSOP
ドライブレコーダの位置情報などリアルタイムでのデータ書換えに好適なメモリ4MビットFeRAM「MB85RS4MT」
本製品は、エッジコンピューティングの拡大、センサー情報のデータ量の増大という環境の変化により、既存のEEPROMを使用しているお客様からの「書換え回数を増やしたい」、「書換え時間を短くしたい」、「メモリ容量を増やしたい」という要求に応えて開発されたメモリです。 本製品は、ドライブレコーダ/運行レコーダ、ロボット、工作機械、計測装置、メーター、民生機器などリアルタイムでの頻繁なデータログが必要とされる様々なアプリケーションに好適です。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RS4MT ・容量（メモリ構成）： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数： 最大40MHz ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・動作温度範囲： -40℃～＋85℃ ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・パッケージ： 8ピンSOP
ADASなどの先端車載市場向けに好適な不揮発性メモリ
MB85RS2MLYは、-40℃～+125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えを保証しています。この特性は、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しています。例えば、毎日0.1秒毎に10年間データを記録（30億回以上）することも可能です。加えて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。したがって、データ書込み回数と信頼性の両方の観点から、本製品はADASのような車の状態を常に検知し記録し続ける用途向けとして好適です。 ■主な仕様 ・製品名：MB85RS2MLY ・容量（メモリ構成）：2Mビット（256K x 8ビット） ・インターフェース：SPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース） ・動作周波数：50MHz（最大） ・動作電源電圧：1.7V～1.95V ・動作温度範囲：-40℃～＋125℃ ・書込み/読出し保証回数：10兆回（1013回） ・パッケージ：8ピンSOP、 8ピンDFN ・品質規格：AEC-Q100グレード1準拠
FAの制御機器、計測メータ、産業機械向けメモリとして最適1MビットFeRAM「MB85RC1MT」
I2Cインタフェースの当社製FeRAMとしては最大のメモリ容量となる1Mビット「MB85RC1MT」は、10兆回の書き換えを保証しており、リアルタイムログなど頻繁な書き換えが必要なFA制御機器、計測メータ、産業機械などへの使用に最適な製品です。 当社はI2CおよびSPIの両シリアル・インタフェースをもつFeRAM製品のラインナップを幅広く揃え、お客様の要求に対して最適な不揮発性メモリ製品の提供が可能となっております。 ■ 特 長 本製品は、I2Cインタフェースの1Mビット（128Kワードx8ビット）FeRAM「MB85RC1MT」です。-40℃～+85℃の温度範囲において、1.8V～3.3Vの低電圧で動作します。動作周波数はEEPROMと同等の1MHz動作に加えて、3.4MHzでの読出しと書込みができる高速モードをサポートしています。書き換え保証回数は汎用EEPROMを大きく上回る10兆回ですので、I2C製品においても、リアルタイムログなど頻繁なデータ書き換えを強力にサポートします。
