シミュレーションソフト(流体解析) - メーカー・企業と製品の一覧

シミュレーションソフトの製品一覧

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半導体関連装置向け解析シミュレーションソフト

ガス流れや薄膜生成のシミュレーションに。大規模形状でも短時間計算

当社では、半導体関連装置向けに特化した解析ソフトを取扱っています。 希薄流体解析ソフト、プラズマ解析ソフトをラインアップし、 有機ELやマグネトロンスパッタのシミュレーションに活躍。 お客様のニーズに合わせた対応も可能です。 【ラインナップ】 《希薄流体解析ソフト『DSMC-Neutrals』》 ■非構造メッシュに対応しているため、複雑な形状の計算に対応 ■装置内全体のガス流れのシミュレーションが可能 《プラズマ解析ソフト『Particle-PLUS』》 ■低圧のプラズマシミュレーションが可能 ■プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに この2つのシステムで、半導体製造における薄膜生成、スパッタリング、 プラズマエッチングなどの様々なシミュレーションに対応可能です。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

  • 科学計算・シミュレーションソフトウェア
  • 分析・予測システム

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【事例】『DSMC-Neutrals』でのダスト挙動の解析

「コンタミネーションに影響するダスト挙動」解析にも対応した 希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

「コンタミネーションに影響するダスト挙動」のシミュレーション解析 はじめ様々なシミュレーションに対応 【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※受託解析も行っておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 科学計算・シミュレーションソフトウェア
  • その他 水素・燃料電池
  • その他ソフトウェア

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【事例】『DSMC-Neutrals』シャワーヘッド型CVD解析

「シャワーヘッド型CVD」解析にも対応した 希薄流体解析ソフトウェア『DSMC-Neutrals』

シャワーヘッド型CVD装置内のガス流れのシミュレーション解析 はじめ様々なシミュレーションに対応 【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※受託解析もしておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】フィルタードアーク蒸着法によるDLC成膜の解析

お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能!複雑なモデルでも効率良く解析

『Particle-PLUS』は、プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・ 製造に適したシミュレーションソフトウェアです。 軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで装置全体のシミュレーションを 行う必要なく、 高速に結果を得ることが可能。 2D(2次元)、3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます。 【特長】 ■低圧プラズマ解析が得意 ■軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで装置全体の  シミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることが可能 ■流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションが得意 ■2D(2次元)、3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析可能 ■自社開発ソフトの強みとしてお客様の装置に合わせたカスタマイズも可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他ソフトウェア

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真空排気シミュレーションソフト『DSMC-Neutrals』

真空排気シミュレーションなど 低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト

【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) ・CVD のような化学反応を含む成膜シミュレーション などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】『DSMC-Neutrals』真空排気シミュレーション

真空排気シミュレーションなど 低圧条件のガス流れの解析ができる 希薄気体(希薄流体)にも対応した解析ソフト

【特長】 ■非構造メッシュを採用しているので、複雑な実際の装置の形状そのままを計算することが可能 ■高い並列効率から、大規模形状でも短時間で計算結果が得られる ■粒子法を採用しているため流体モデルと異なり,品質の悪い計算格子が有っても,必ず収束解を得られる ■充実した技術サポートにより、シミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことが可能 ◆さまざまな事例に対応◆ ・真空チャンバー内の希薄なガス流れシミュレーション ・半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ・化学蒸着 (CVD)、有機EL (OLED)、分子線エピタキシー (MBE ) ・CVD のような化学反応を含む成膜シミュレーション などの半導体製造における薄膜生成のシミュレーション ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・化学反応の計算 ・アレニウス形式の反応データから化学反応を計算 ・解離・再結合・分子(原子)交換反応計算 ・GUI 上で,複数の反応式を設定も可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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プラズマシミュレーションソフト『Particle-PLUS』

『Particle-PLUS』は、 粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・CCPや外部回路モデル等の高度な物理モデル解析が可能です ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして 標準機能でのCCP,マグネトロンスパッタ計算はもちろん、 お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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  • その他ソフトウェア
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3Dプラズマシミュレーションソフト『Particle-PLUS』

『Particle-PLUS』は、 粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・CCPや外部回路モデル等の高度な物理モデル解析が可能です ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして 標準機能でのCCP,マグネトロンスパッタ計算はもちろん、 お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】「Particle-PLUS」CCP装置の3次元解析

Particle-PLUS解析事例紹介 "容量結合プラズマ(CCP)の3次元解析 "シミュレーション事例

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】『Particle-PLUS』CCPでのクリーニング処理

代表的なドライエッチング手法のひとつである CCP(容量結合プラズマ)エッチングに関する『Particle-PLUS』解析事例

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・CCPや外部回路モデル等の高度な物理モデル解析が可能です ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして 標準機能でのCCP,マグネトロンスパッタ計算はもちろん、 お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】「Particle-PLUS」円筒型マグネトロンスパッタ

Particle-PLUS解析事例紹介「円筒型マグネトロン装置のプラズマスパッタリング」シミュレーション事例

長い円筒パイプの内側に強い膜を成膜する方法のひとつである円筒標的を用いたマグネトロンスパッタの解析事例です Particle-PLUSで利用可能な 1)軸対称モデル 2)鏡面対称境界条件を組み合わせることで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく高速に結果を得ることができます ◇『Particle-PLUS』の特徴 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、高速に結果を得ることができます ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元)3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとしてカスタマイズも可能です ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】Particle-PLUS 回転ターゲットのマグネトロン

カットセルメッシュを用いた回転ターゲットのマグネトロンスパッタシミュレーションの『Particle-PLUS』解析事例

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】Particle-PLUS 外部回路モデルを用いたCCP

Particle-PLUS解析事例紹介 外部回路としてπ 型マッチングボックスを考慮しCCPプラズマシミュレーションが可能

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】Particle-PLUS ロールツーロールスパッタ

Particle-PLUS解析事例紹介 "回転ターゲットのマグネトロンスパッタ"シミュレーションが可能

『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。

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【事例】DSMC-Neutrals真空装置の排気シミュレーション

真空排気の様々な情報をシミュレーションで導出可能!

当社が自社開発した3次元希薄気体解析用のソフトウェア 『DSMC-Neutrals』では、真空装置の排気シミュレーションが可能です。 種々の物理量の計算結果の図示や、過渡的なグラフをプロットすることにより 排気システムの設計・開発において実験だけでは得ることが大変な様々な 情報を簡単に見える化できます。 詳しくは、以下のURLをご覧ください。

  • ポンプ

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