解析装置×株式会社アイテス - メーカー・企業と製品の一覧

解析装置の製品一覧

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接合・接着・実装部の不良解析をはじめとした解析技術のあり方

分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介!

当社では、電子部品ばかりではなく無機・有機素材をはじめ、多くの製品、 部品、素材を故障・不良解析、構造解析、良品解析、信頼性評価といった面で お客様の課題・問題解決に向けてサポートしています。 当資料は、分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介。 お客様にとっても問題解決の端緒と紐解きの一助となれば幸いです。 【掲載内容】 ■はじめに ■接合のイメージと当社の評価・解析技術の位置付け ■不具合要因 ■手法 ■終わりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他ソフトウェア

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【EBSDによる結晶解析】BGA

EBSD法により、結晶状態や残留応力の推測が可能!BGAの解析例をご紹介します

BGA(Ball Grid Array)の解析例をご紹介いたします。 顕微鏡による観察では、光学顕微鏡とSEMを使用。 EBSD法による結晶解析では、Phaseマップ、SnのGrainマップ、 SnのIPFマップ、SnのGRODマップを使用し、結晶状態や残留応力の 推測が可能です。 【概要】 ■EBSD法による結晶解析 ・Phaseマップ ・SnのGrainマップ ・SnのIPFマップ ・SnのGRODマップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電気設備試験
  • その他分析機器

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発熱解析による電子部品の故障箇所特定

故障箇所特定から内部観察までを非破壊で実施する事が可能!高精度な発熱箇所の特定ができます

発熱解析は、電圧印加によってリーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで 検出する事で不良箇所を特定する手法です。 ショートやリークに伴う微弱な発熱を高感度InSbカメラで検出する事で 半導体等の電子部品の故障部を非破壊で特定する事が可能。 更にX線検査装置を用いる事で非破壊での観察もできます。 【特長】 ■リーク箇所に発生する熱を高感度InSbカメラで検出する事で不良箇所を特定 ■サンプルを非破壊の状態で解析したり、OBIRCHやエミッションでは  解析が難しい電子部品を解析する事も可能 ■ロックイン機能を使用し、位相情報を取得する事で、高精度な発熱箇所の  特定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他

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【EBSDによる解析例】Chip

Al配線に配向性が見られた、EBSDによる解析例を紹介いたします

Chip表面の配線(Al)について、EBSDによる解析例を紹介いたします。 パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封し、EBSDによるチップ表面の Alパターンの解析を実施。 その結果、Al配線に配向性が見られました。 法線方位が分布しており、結晶が多く存在していると考えられます。 【概要】 ■解析方法 ・パッケージ樹脂を薬液/RIEにより開封 ・EBSDによるチップ表面のAlパターンの解析を実施 ■結果 ・Al配線に配向性が見られた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電気設備試験
  • その他分析機器

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【EBSDによる解析例】ビア

EBSD法により結晶サイズの分布や、残留応力を推測することができます

積層基板で形成されるビア(Cu)について、EBSDによる解析例を 紹介致します。 EBSD法により結晶サイズの分布や、残留応力を推測することが可能。 また、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【概要】 ■EBSDにて結晶構造を観察 ・IPFマップ ・GRODマップ ・結晶粒分布map ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 電気設備試験
  • その他分析機器

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EBSDによる解析例(セラミック)

「観察/元素分析」や「EBSDによる解析」など!EBSDによる解析例を紹介致します

セラミック(Al2O3)について、EBSDによる解析例を紹介致します。 「観察/元素分析」では、EDXによる元素分析からAl2O3と判断され、 マップよりSiが点在している様子が観察されました。 「EBSDによる解析」では、EBSD法により結晶サイズの分布や配向性を 確認でき、マップにHigh lightすることにより、グラフに現れた特長を 可視化できます。 【解析概要】 ■観察/元素分析 ・SEMによる観察とEDXによる元素分析 ■EBSDによる解析 ・EBSDにて結晶構造を観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他

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【資料】EBSDによるウイスカ解析

ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて解析した事例を紹介!

当資料では、ICパッケージのリード端子に発生したウィスカについて、 機械研磨にて断面を作製し、SEM観察及びEBSD解析した事例を 紹介しています。 ICパッケージの表面SEM像をはじめ、断面SEM像などを掲載しています。 EBSD法により測定された結晶粒と結晶粒界が一致していることがわかります。 ぜひご一読ください。 【掲載事例】 ■観察/断面作製 ■EBSDによる解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【EBSDによる結晶解析】 アルミ溶接部(スポット溶接)

溶接部は大きな結晶粒が多く分布していることが確認できた解析例をご紹介!

EBSDの事例として、アルミの溶接断面を断面方向から分析を 行いましたので、ご紹介いたします。 アルミケースにアルミ板をスポット溶接したサンプルについて、 溶接部の断面を作製し、EBSD分析を実施。 結晶粒サイズの分布では、母材部に比べ、溶接部は大きな 結晶粒が多く分布していることが確認できました。 【解析概要】 ■結晶粒の可視化 ・母材部に比べ、溶接部は結晶粒の形状や大きさが異なることが分かる ■結晶粒サイズの分布 ・母材部に比べ、溶接部は大きな結晶粒が多く分布していることが確認できる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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【EBSDによる解析例】シリコンウエハ

測定したシリコンウエハは単結晶!IPFマップ、極点図、逆極点図は比較的シンプルな結果になりました

EBSDで解析したシリコンウエハの事例をご紹介いたします。 ウエハから小片を切り出し、中央50×50μmの領域にてIPFマップを取得。 測定範囲内は、{001}面を表す赤色を示し、また、粒界が見られないこと から単結晶であることが確認できます。 測定したシリコンウエハは単結晶であるため、IPFマップ、極点図、 逆極点図は比較的シンプルな結果になりました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 電気設備試験

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