TEMによる電子部品・材料の解析
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
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解析×株式会社アイテス - 企業1社の製品一覧
製品一覧
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実装部品接合部の解析
機械研磨法に化学エッチング、イオンミリング、FIB加工を施すことにより、鉛フリー半田を始め、各種金属接合部の解析を行います。
電子部品の接合部は基板全体の信頼性に大きな影響を及ぼします。 特にはんだ接合部においては、形状のみならず、 金属組織の観察が重要になります。
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EBSD解析
結晶方位や結晶粒径の変化が解析可能！EBSD(電子線後方散乱回折)法をご紹介いたします
EBSD法とは、試料の持つ結晶構造の情報を基に連続的に取り込んだパターン の結晶方位を算出することにより、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を 解析する手法です。 金属やセラミック等の結晶質のものは、立方体等の結晶格子が多数集まって 構成されていると考えられおり、当解析法では、それがどのような方向を 向いているのか(結晶方位)を解析。 IQマップ(イメージクオリティーマップ)をはじめ、IPFマップ、GRODマップ、 極点図など、様々なマップを使用します。 【特長】 ■EBSD法は、結晶粒の分布、集合組織や結晶相分布を解析する手法 ■(株)TSLソリューションズOIM7.0結晶方位解析装置を使用 ■結晶格子がどのような方向を向いているのか(結晶方位)を解析 ■加工条件(圧延、押出等)の違いによる結晶方位や結晶粒径の 変化が解析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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ICの不良解析
不良モードに適した様々な手法を組み合わせることで、不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応
株式会社アイテスの『ICの不良解析』についてご紹介します。 当社では、ICに対して、不良モードに適した手法を組み合わせることで、 不良ノードの特定から物理解析までを一貫して対応致します。 Layout Viewerによるレイアウト確認が可能な「発光解析/OBIRCH解析」を はじめ、「層剥離/サンプル加工」や「PVC解析」、「拡散層エッチング」、 「sMIM解析」等、様々な解析手法があります。 【手法】 ■発光解析/OBIRCH解析 ■層剥離/サンプル加工 ■マイクロプローブ ■PVC解析 ■EBAC解析 ■物理解析（FIB-SEM TEM） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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短波長レーザを用いたSiCデバイスのOBIRCH解析
Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし、 疑似リークを発生させました。 IR-OBIRCH解析では確認できなかった擬似リーク箇所が、 GL-OBIRCH解析では明瞭に観察できていました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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静電破壊した橙色LEDの不良解析
良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光解析事例をご紹介します！
当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です。 「良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性比較」や「エミッション 顕微鏡による発光解析」などの事例がございます。 【解析例】 ■良品と静電気（ESD）破壊品の輝度と特性⽐較 ・砲弾型LEDのレンズ部を研磨にて平坦化し、輝度比較を行ったところ、 ダークエリアが観察された ■エミッション顕微鏡による発光解析 ・ESD破壊品は順バイアスでダークエリアが観察され、逆バイアスで 破壊箇所のみが発光した ■IR-OBIRCHおよびSEI解析 ・ESD破壊品のIR-OBIRCH解析により詳細な破壊箇所が特定できた ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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LCDパネル良品解析
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT） OLED 車載 モニター モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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パワー半導体の解析サービス
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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液晶パネルの不良解析
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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化学反応機構研究所材料劣化解析（PETの分解・劣化）
ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案！
株式会社アイテスでは、材料劣化解析を行っております。 ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案。 材料がどのような劣化過程を辿ったかを解析し、ポリマー材料や使用環境を 適切にすることで製品の寿命を延ばす事が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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パネル偏光板劣化解析
パネル偏光板の劣化解析例を掲載！信頼性試験やHS-GCMS分析によるアウトガス分析などで劣化解析してみました
液晶パネルに使用される偏光板はトリアセチルセルロース、ポリビニルアルコール、 ポリエチレンテレフタレートなどを貼り合わせた多層フィルムで出来ています。 当資料では、信頼性試験後のパネル偏光板をHS-GCMS分析、熱脱着GCMS分析により劣化解析した事例をご紹介しています。 目に見えない劣化でも、この分析なら見つかるかも？！ 是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■信頼性試験 ■HS-GCMS分析によるアウトガス分析 ■熱脱着GCMS分析による低沸点成分分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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UV照射によるフィルム物性変化の解析
ブルーライトカットフィルムの光透過性がどのように変化するか、分光光度計を用いて検証！
ブルーライトカットフィルムは、通常のPETフィルムに比べ、可視光、 特に波長500nm以下の光の透過を抑える効果を有しております。 UV照射によって、ブルーライトカットフィルムの光透過性が どのように変化するか、分光光度計を用いて検証。 波長350～400nmの光の透過性が、UV照射によって、さらに低下しました。 また、フィルム内部で起こっている反応に関して、GC-MSを用いて分析を 行いました。 【解析内容】 ■通常PETフィルムとブルーライトカットフィルムの光透過特性 ■ブルーライトカットフィルムへのUV照射 ■フィルム内成分のGC-MS分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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海外製 液晶ディスプレイの良品解析
不具合が出れば詳細解析も！海外製LCD導入ご検討のお客様向け簡易版解析
株式会社アイテスの液晶ディスプレイの良品解析についてご紹介します。 まず、外観観察としてセルパネル状態で、FPC、FOG、COG、 シール材に着目して光学顕微鏡観察を行い、次にセルパネルを解体して、 シール材やPI膜、TFT形状を確認。 良品解析で不具合が見つかった場合は、配線の断面観察、異物分析など 原因究明のための追加解析を御提案させていただきます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【外観観察の観察内容】 ■FPCの配線に腐食や異物は無いか ■FOGの接合は問題ないか ■COGの接合は問題ないか ■シール材に破断等はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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パワーデバイスの故障解析
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
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sMIMによる半導体拡散層の解析
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si SiC GaN InP GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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