GaN自立基板成長用HVPE(ハイドライド気相成長)装置
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『GaN 自立型基板成長用HVPE装置』は、当社独自に開発した 基板回転機構を用いた装置になります。 ヒータは割型12ゾーン制御。マイクロロジック社製の トータルコントロールシステムを採用しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【装置構成】 ■3インチ×3枚(MAX) ■割型12ゾーン制御 ■N2雰囲気ローディングBOX ■基板回転機構 ■自動開閉移動ヒータ ■トータルコントロールシステム付 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社Fテクニカルサポート
- 価格：応相談
