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データを一時的に保存したり取得する！コンピュータの短期メモリ
「RAM(ランダムアクセスメモリ)」は、コンピュータのメモリ又は ストレージの一種です。 ラップトップやコンピュータが現在使用しているすべてのデータを 保存しているため、遅延なくプログラムにアクセスしマルチタスク をこなすことが可能。 一般的に4GB、8GB、16GB、32GBのオプションで入手できます。 【ラインアップ(一部)】 ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Crucial 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 8GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 4GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) Transcend 2GB ■RAM(ランダムアクセスメモリ) InnoDisk 1GB ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
入力条件数は32条件、100,000変化分のデータを保存することができます
『情報メモリVAM32』は、リレー接点入力により踏切設備の動作を 記憶する装置です。 LAN通信により、遠隔で記憶データを取得することが可能。外線入力 コネクタは従来の「VAM32」から変更ありませんので、置き換えて 使用することができます。 当社では鉄道用の信号・表示器等で培ったLEDの選定や基盤配置の技術を 生かした開発設計・ものづくり(試作量産)を行っております。 「こんな警報機がほしい」「LEDでこんなもの作れない？」という お困りごとを解決しますので、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■LAN通信により、遠隔で記憶データを取得可能 ■入力条件数は32条件、100,000変化分のデータを保存可能 ■既存の「VAM32」解析ソフトを使用して現場で直接解析可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
