1～3 item / All 3 items
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価！高速書込み、高書換え回数、低消費電力など
『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
チップ全体ではなくデータをブロック単位で消去できます
『EPROM』は、電源をオフにした後もデータを保持する 不揮発性ROMメモリの一種です。 紫外線を照射することにより、書き込み、消去が可能。 パッケージの上部に透明な石英の窓があるのが特長で、この窓から 紫外線を照射することで、EPROMデバイスのメモリを消去できます。 【ラインアップ(一部)】 ■EPROM Microchip ・メーカー型番：AT27C020-55JU ・メーカー型番：AT27C256R-70PU ・メーカー型番：AT27C040-70JU ・メーカー型番：AT27C4096-90JU ・メーカー型番：AT27C040-90JU ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
