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アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など！パワーMOSFETのアバランシェ耐量試験について解説
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ アバランシェ試験で測定するアバランシェ耐量とは、パワーデバイスに 耐電圧以上の電圧を印加していくと急激に電流が流れはじめ破壊に至って しまうのですが、どのくらいのエネルギーまで耐えられるかということを指します。 当レポートでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について 図を用いて解説。 万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを 検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETの アバランシェ耐量を調べておく必要があります。 【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定条件が違います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 SiCのダイオードについて知りたい方はしるとくレポNO.12をご覧ください。 【掲載内容】 ■Si-MOSFET・IGBT・SiC-MOSFETの比較例 ■ON抵抗だけで比較しない ■SiCに置き換える場合には、駆動電圧を変更することも注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
一部機能のみを抜き出して意図した動作をするか確認！簡単な事例をご紹介します。
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ WTIではお客様のご要望に合わせて設計開発を行っておりますが、今回は 原理検証についてお話しします。 ここでの原理検証とは本格的な製品設計を開始する前に基本動作や特性の確認を 行うことを指しています。 新規開発のご依頼があった際に、技術的課題があると思われる場合には、 原理検証から始められることをご提案することもあります。 【掲載内容】 ■原理検証について ■「突入電流防止用のMOSFETが意図通りに機能するか」の確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
