【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失
【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
IGBT(スイッチング) - メーカー・企業と製品の一覧
IGBTの製品一覧
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【ディスクリート】IGBT ラインアップ一覧
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
- 価格：応相談
【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎
業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失
BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。
