IGBT - メーカー・企業5社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年11月26日～2025年12月23日
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IGBTのメーカー・企業ランキング

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  1. 株式会社カナデン 本社 東京都/商社・卸売り
  2. 澤電気機械株式会社 大阪府/その他
  3. アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
  4. 4 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫　　グループ会社　エレクトロン（長野県松本市） 東京都/商社・卸売り
  5. 4 富士電機産業株式会社 大阪府/商社・卸売り
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IGBTの製品ランキング

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  1. APEC社製 MOSFET・IGBT 株式会社カナデン 本社
  2. IGBTモジュール Xシリーズ 澤電気機械株式会社
  3. 【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧 アールエスコンポーネンツ株式会社
  4. 【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎ 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫　　グループ会社　エレクトロン（長野県松本市）
  5. 4 【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失 株式会社セイワ 東京本社、関西支社、名古屋営業所、中国無錫　　グループ会社　エレクトロン（長野県松本市）

IGBTの製品一覧

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【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • IT制御・サービス

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【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IGBT】

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

  • 太陽光発電設備

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APEC社製 MOSFET・IGBT

APEC社製 MOSFET・IGBT

低耐圧から高耐圧まで豊富なMOSFET製品をラインナップ

APEC (Advanced Power Electronics Corp.)社は台湾のファブレスの半導体メーカーです。 1998年に設立され台湾におけるMOSFET・IGBTの専業メーカの先駆けとして成長してきました。 MOSFETは幅広い製品、パッケージを取り揃え、分野別の最適ソリューションを提供します。 OA機器、通信、産業、家電、パソコン、ディスプレイ等の多くの分野で採用されています。

  • 0379A_2.png
  • 0379A_3.png
  • 部品・材料

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MOSFET・IGBT

MOSFET・IGBT

幅広く分野に対応可能！ MOSFET・IGBTに特化した一貫生産体制サプライヤーのご紹介

当社では、産業機器・クリーンエネルギー分野・車載機器から 白物家電まで、幅広く対応可能な『MOSFET』を取り扱っております。 様々な製品ラインアップをそろえており、一貫生産体制により 安定供給を実現。 またフォーキャストのご提示で短納期での対応が可能。 「バイポーラトランジスタ」、「IGBT」、「ダイオード」なども ご用意しております。 【ラインアップ例】 ■MOSFET ■バイポーラトランジスタ ■IGBT ■ダイオード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他

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IGBTモジュール Xシリーズ

IGBTモジュール Xシリーズ

インバータ動作時の電力損失を低減

『IGBTモジュール Xシリーズ』は、従来製品に比べてインバータ動作時の 電力損失を低減できる製品です。 電力損失低減と併せて発熱も抑制することで、従来製品より約36％の 小型化を達成。 また、高信頼性・高耐熱パッケージおよびチップの最適化により、 175℃連続動作を実現します。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【特長】 ■低損失 ■小型化 ■高温動作 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他

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【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS) 技術 ・低飽和電圧降下 (V CE(sat) ・低スイッチング損失 ・TO252、TO 247、TO247Nパッケージ ・RoHS対応 ・JEDEC 規格準拠 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。

  • 太陽光発電設備

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