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ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析に有効です
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られるZsのC成分は酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Cu板における圧縮前後での変化を観察！圧縮前後の結晶粒径の半化を比較できます
EBSD(電子線後方散乱回折)法は、電子線照射により得られた反射電子回折 パターンから個々の結晶の方位情報を取得しマップ化したもので、さらに 定量的、統計的なデータとして結晶方位(配向性)のみならず結晶粒分布や 応力ひずみ等の材料組織状態を調べる手法です。 Cu板における圧縮前後での変化観察では、IQマップ、GRODマップ、 IPFマップ(Axis3方向)を使用し、圧縮前後の結晶粒径の半化を 比較することができます。 【特長】 ■個々の結晶の方位情報を取得しマップ化 ■結晶方位、結晶粒分布や応力ひずみ等の材料組織状態を調べる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「SEM像」や「吸収電流像（電流センス）」など！配線のオープン不良、高抵抗不良箇所を特定します
当社では、分析解析・信頼性評価サービスなどを行っております。 『EBAC（吸収電流）法による不良箇所の絞込み』では、 ナノプローバと高感度アンプを用いたEBAC法により配線の オープン不良、高抵抗不良箇所を特定します。 吸収電流を電圧センスすることで、配線内の抵抗分圧に基づいた コントラストが得られるため、ビアチェーンなどのTEGで⾼抵抗 不良箇所を検出することもできます。 【EBAC法による解析事例】 ■SEM像 ■重ね合わせ画像 ■吸収電流像（電流センス） ■吸収電流像（電圧センス） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所などが分かる、EBSD解析をご紹介します！
フレキシブル基板（FPC）のEBSD解析をご紹介します。 可動部や折り曲げ機構がある製品に使用されるフレキシブル基板について、 屈曲部と固定部でCu配線に違いがあるかEBSDによる確認を実施。 その結果、光学像では屈曲部と固定部の配線に顕著な異常や差異は 確認できないが、EBSD解析では、屈曲部の配線に歪みが蓄積している個所や、 小傾角粒界が集中している個所が存在していることが分かりました。 【解析内容】 ■フレキシブル基板外観とCu配線光学像 ・フレキシブル基板外観 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ■EBSDによる屈曲部と固定部のCu配線比較 ・屈曲部の配線 ・固定部の配線 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高度な試料作製技術と半導体用の故障解析装置を応用！不点灯や輝度劣化の原因を調査
当社の「LEDの故障解析」では、高度な試料作製技術と半導体用の 故障解析装置を応用し、LEDの故障解析を行い不点灯や輝度劣化の 原因を調査します。 「LED不良モードの切り分け」では、レンズ研磨後の点灯試験、 観察LEDの樹脂をそれぞれ、a, b, c まで研磨し、（a）,（b）点灯観察、 （c）樹脂越しのチップの光学観察を行いました。 この他にも「電気的正常」、「オープン、高抵抗」などがございます。 【LEDパッケージの初期診断項目】 ■電気特性測定 ■外観観察 ■レンズ研磨/パッケージ内部光学観察 ■点灯試験（輝度分布観察） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について確認しました！
市販のLiイオン電池に使用されているセパレータについてFT-IR分析にて、 材料分析を行った後、高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について 確認しました。 資料では、Liイオン電池セパレータの材料分析や高温環境下における セパレータの状態変化観察をグラフや写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池セパレータの材料分析 ■高温環境下におけるセパレータの状態変化観察 ・セパレータを135℃の一定温度で時系列的に断面の状態変化を FIB/SEMにて観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて観察！詳細な構造の解析や元素分析等が可能
市販の角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて 観察することにより、詳細な構造の解析や元素分析等が行えます。 資料では、Liイオン電池の全体構造及びSEM観察や極低加速FE-SEMによる Liイオン電池の詳細構造観察を写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池の全体構造及びSEM観察 ■極低加速FE-SEMによるLiイオン電池の詳細構造観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで解き明かしていきます！
アイテスでは『ナイロン6.10の構造解析』を行っています。 ナイロンはしなやかさを備え、絹に近い感触を持ち、その一方で、 「鋼鉄より強く、クモの糸より細い」という天然繊維にない高い強度や 耐久性を持ちます。 その特長を当社のFT-IR、熱分解GC-MSを使用して分子レベルで 解き明かしていきます。 【ナイロン6.10 界面重合反応機構】 1.塩素の電子吸引により隣接炭素の電子が不足 2.アミンの非共有電子が炭素を求核攻撃する 3.酸素原子が活性化して不安定な中間体を形成 4.塩化水素が脱離して、アミド結合を形成 5.界面重合が進み、ポリマー化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD解析でお困りのあなたに、 私たちアイテスが解決のお手伝いをします！
LCD解析でお困りのあなたに、 私たちアイテスが解決のお手伝いをします！ 構造解析： 刻々と進化するFPD製品・先端技術が組み込まれた製品に対して、 特性・構造上の潜在的問題点がないかを評価しご報告します。 不良解析： 増え続ける海外製造品の製造不良に対して、 最短ルートでアプローチ・原因究明いたします。 信頼性試験： お客様の目的・必要性に応じて、豊富なノウハウにより 最適な信頼性試験手法・条件のご提案を行います。 【掲載内容】 ■ 知ってた？知らなかった？ディスプレイとは？ ■ パネル解析事例 ■ もっと教えて！アイテスのLCD解析 ■ アイテスではこんな解析ができます！
材料評価や不良品解析に！分解生成物の違いから、かかった負荷や劣化機構について考察致します。
ポリカーボネートは耐衝撃性や耐候性、透明度に優れた材料であることから、 工業材料から日常品まで幅広く使用されています。 しかし優れた性質を持つポリマーであっても、使用環境や経時変化により 化学変化、いわゆる劣化が生じます。 当資料では、UV照射及び恒温恒湿試験を行ったポリカーボネート材料の 劣化解析例を紹介します。 【掲載内容】 ■ポリカーボネートの反応熱分解GC-MS分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良解析の実績多数！現象の確認から不良発生メカニズムの推測など、詳細な解析が可能
当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
