素子(デバイス) - メーカー・企業と製品の一覧

素子の製品一覧

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極低照度型光発電素子『SQ-DSSC』

室内のような照度の低い環境下でも発電可能!極低照度下でも発電する光発電素子

『SQ-DSSC』は、シリコン太陽電池と比較して低照度でも十分な発電量を 優位に提供できるという特性を生かし、IoTデバイスの電源供給源として 自立型電源を実現します。 多種多様なセンサ、計測機器、通信機能を持つビーコンなど複数デバイスを 束ねたIoTゲートウェイの中に、デバイスを稼働させる自立電源として 当社製品を組込み、ネットワークに「繋げる」。 ユーザーが抱えている課題を解消し、業務の効率化、経済的利益を享受する サービス・ソリューションを提供しています。 【特長】 ■低照度でも十分な発電量を優位に提供できるという特性を生かしている ■IoTデバイスの電源供給源として自立型電源を実現 ■当社製品を組込み、ネットワークに繋げる ■ユーザーが抱えている課題を解消し、業務の効率化、経済的利益を享受 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 直流電源装置

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KOALA Techのコア技術

戦略的に知財ポートフォリオを構築!"発振出来ない波長域がある"といったお悩みを解決!

KOALA Techのコア技術についてご紹介いたします。 「有機半導体レーザーダイオード(OSLD)」は、有機ELなどで社会実装が深化する 有機半導体技術がベース。 "どこにでも配置できる"、"自由に発振波長を選べる"、"超集積により <小型かつ多機能化>ができる"といった特長があります。 【特長】 ■要素技術 ・レーザー材料設計 ・共振器構造設計 ・デバイス設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他

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レーザーに求められる特長

困難であった課題を有機レーザーが解決!スマート社会の主役、有機デバイスとの相性が抜群

将来の社会で期待されるレーザー技術のブレークスルーについて ご紹介いたします。 「使用シーン」では、"高い設計自由度(基板を選ばない・超集積ができる)"、 "柔軟な機械特性(フレキシブル)"が挙げられます。 他にも、「発振波長の自由度」として"青~近赤外 全て可(有機材料の利点)" といった点も、有機レーザーの特長となっています。 【特長】 ■使用シーン ・高い設計自由度(基板を選ばない・超集積ができる) ・柔軟な機械特性(フレキシブル) ■発振波長の自由度 ・青~近赤外 全て可(有機材料の利点) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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有機半導体レーザーとは何?

有機半導体製品と組み合わせることで、より幅広いアプリケーションの創出が可能!

「有機半導体レーザー」は、将来的に低コスト化でき、有機半導体プロセスで 大規模・容易な製造を行うことができるポテンシャルを持っています。 特定の波長がレーザー発振可能。特に生体内の特定の物質を検出する バイオセンサーの光源として用いることも出来ます。 さらに、レーザー光の特長である高い色純度を利用した、超高階調な美を 表現できるディスプレイを実現可能です。 【有機半導体レーザー 特長】 ■どこにでも配置できる ■任意の波長が出せる ■有機デバイスとの相性が抜群 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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遅延線/時限素子 ラインアップ一覧

システムの性能が向上!歪み除去、タイミングクロック、データ信号に役立ちます

『遅延ライン/タイミング素子』は、システムの性能が向上するように 設計された集積回路(IC)です。 遅延コンポーネントは、遅延を発生させて電子回路内の時間を調整。 遅延デバイスへの入力信号は、設定時間が経過すると再び出力に発生します。 また、時間遅延チップは、歪み除去、タイミングクロック、データ信号に 役立ちます。ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi MC100EP196BMNG ■onsemi NB6L295MMNG ■Maxim Integrated DS1100Z-250+ ■Microchip SY89295UMG ■Renesas Electronics EL9115ILZ ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 情報・通信機器・インフラ

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東北大学技術:差分情報記憶方式不揮発レジスタ:T24-080

従来レベルの短い時間動作で消費電力と面積を低減

不安定なエネルギー供給下でも継続的な演算処理を可能にする間欠的コンピューティングのエッジデバイス実装において,不揮発記憶回路(不揮発レジスタ)を活用し、ローカルなデータ転送のみで内部状態を不揮発記憶処理できる不揮発ロジック回路構造が有望な選択肢となる。  従来の不揮発レジスタは、1ビット記憶回路(不揮発フリップフロップ、NV-FF)をビット数分接続する構成であり、1ビットあたり2個のMTJ素子を必要とするため、面積やエネルギーのオーバーヘッドが大きいという課題があった。これに対して発明者らは共有リファレンス方式(RLSS)という処理により消費エネルギーおよび面積を低減する効果をシミュレーションで確認したが、動作に必要な時間はレジスタのビット数に比例して増加するという新たな課題が生じた。  本発明は差分情報記憶方式(DISS)という方式を提案する。具体的には1ビットのデータを隣り合う2つのMTJ素子の抵抗状態の差分によって保持することで、バックアップ・リストアがそれぞれ2サイクルの動作で可能となり、消費エネルギーおよび面積の低減に加えて、動作時間も従来方式並みに抑える効果をシミュレーションで確認した。

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