パワーデバイス（SiC）をチップ化
ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産性向上を実現。従来工法と比較して小フットプリント化.
三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの短縮が生産性の向上に繋がるほか、水を使用しないため環境に優しく、生産コストの削減が可能です。 【MDI独自技術SnB（スクライブ＆ブレーク）の特徴】 ■高周波デバイスやパワーデバイスに対して、安定高速切断加工が可能！ ■高精度・高品質な切断加工でストリート幅削減＆小サイズ対応が可能！ ■さまざまな半導体/電子部品の加工に対応！ ■多層構造の複合材料にも対応！ 長年培ったノウハウと理論化したシミュレーションで最適な加工方法をご提案します。 ※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。
- 企業：三星ダイヤモンド工業株式会社
- 価格：応相談
