当社では、MBEの成膜速度を向上させるため、従来のラジカル源より、 高密度のNラジカルを供給する「高密度ラジカル源装置」を取り扱っております。 不純物が発生しないように設計され、GaNの高品質結晶成長を 維持したまま、従来よりも高速成長を実現。Oラジカルも 生成可能ですので、酸化物への展開も可能です。 また、ラジカルモニターや、小型VUV分光器、CCP型プラズマエッチング 装置など様々な製品を取り揃えております。 【特長】 ■イオン除去、電子除去機構付 ■H、N、O高密度ラジカル発生 ■ICF114フランジ取付 ■ガス供給外部制御機能付 ■プロセスチャンバー圧力調整用オリフィス付 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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