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脱炭素社会の実現に貢献するパワー半導体デバイス
三菱電機は、家電、産業機器、鉄道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献するパワー半導体デバイスを提供しています。 ●パワー半導体モジュール、SiCパワー半導体デバイス モーター制御や電力変換などのパワーエレクトロニクス機器のインバータ化により効率化や省エネ化に最適です。 DIPIPM、IGBTモジュールや制御回路、保護回路を搭載したIPM（Intelligent Power Module）、 次世代パワー半導体材料のSiCを用いたSiCパワー半導体デバイスなど多種多様な製品ラインアップを取り揃えています。 ●大電力デバイス 電鉄、電力系統など幅広い分野で使用される大電力を制御する製品です。 整流ダイオード、サイリスタなどのラインアップを取り揃えています。 ●IC マイコンからの制御信号をパワーMOSFETやIGBTのゲートへ伝達する高耐圧のHVICを取り揃えています。
グローバルにおけるGaN系半導体デバイス市場2022-2031：産業分析、規模、シェア、成長、動向、予測
Transparency Market Research社の市場調査書では、グローバルにおけるGaN系半導体デバイス市場について調査・分析を行い、序論、エグゼクティブサマリー、市場動向、関連産業・主要指標分析、構成部品別分析（トランジスター、ゲートドライバIC、パワーIC、コントローラ、その他）、ウェーハサイズ別分析（1インチ・2インチ、4インチ、6インチ、8インチ、12インチ）、用途別分析（防衛用通信機器、テレコム・データコム用サーバー、充電器・アダプター、ワイヤレス充電、その他）、エンドユーザー別分析（IT・通信、家電、自動車・輸送機器、航空宇宙・防衛、その他）、地域別分析（北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東・アフリカ、南米）、競争状況などの内容を整理しました。
デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説！適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
GaN半導体デバイスの世界市場（2023～2028）：パワー半導体、光半導体、RF半導体
Mordor Intelligence社の本調査資料では、グローバルにおけるGaN半導体デバイス市場規模が、2019年に977.21百万ドルとなり、予測期間中（2020年〜2025年）にCAGR17.21％で拡大し、2025年までに2,534.61百万ドルに到達すると展望しています。本資料は、GaN半導体デバイスの世界市場について調査を行い、市場の現状や動向をまとめています。イントロダクション、調査手法、エグゼクティブサマリー、市場動向、種類別分析（パワー半導体、光半導体、RF半導体）、デバイス別分析（トランジスタ、ダイオード、整流器、電源IC）、産業別分析（自動車、家電、航空宇宙・防衛、医療、その他）、地域別分析（アメリカ、カナダ、イギリス、ドイツ、フランス、中国、日本、韓国）、競争状況、市場機会・将来の動向など、以下の項目を掲載しています。
