半導体デバイス - メーカー・企業と製品の一覧

半導体デバイスの製品一覧

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パワー半導体デバイス

脱炭素社会の実現に貢献するパワー半導体デバイス

三菱電機は、家電、産業機器、鉄道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献するパワー半導体デバイスを提供しています。 ●パワー半導体モジュール、SiCパワー半導体デバイス   モーター制御や電力変換などのパワーエレクトロニクス機器のインバータ化により効率化や省エネ化に最適です。 DIPIPM、IGBTモジュールや制御回路、保護回路を搭載したIPM(Intelligent Power Module)、 次世代パワー半導体材料のSiCを用いたSiCパワー半導体デバイスなど多種多様な製品ラインアップを取り揃えています。 ●大電力デバイス   電鉄、電力系統など幅広い分野で使用される大電力を制御する製品です。 整流ダイオード、サイリスタなどのラインアップを取り揃えています。 ●IC   マイコンからの制御信号をパワーMOSFETやIGBTのゲートへ伝達する高耐圧のHVICを取り揃えています。

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【資料】しるとくレポNo.53#アバランシェ試験(2)

デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説!適当なパラメータを持つMOSFETを例にして計算を行います

★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定されたデバイスを比較しても あまり意味はありません。データシート値のみを参考にするだけではなく、 できるだけ実動作に近い環境で実測することをお勧めします。 【掲載内容】 ■デバイスの過渡熱抵抗 ■アバランシェ動作時の損失と時間の関係 ■Tjと時間のグラフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他サービス・技術

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